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    FQPF16N15

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     N 沟道 QFET

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
    • "
    • 11.6A, 150V, R
    • = 160mΩ(最大值)@V
    • = 10 V, I
    • = 5.8A栅极电荷低(典型值:23nC)
    • 低 C
    • (典型值30pF)
    • 100% 经过雪崩击穿测试
    • 175°C最大结温额定值"
    • 175°C maximum junction temperature rating"

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    FQPF16N15-- 立即购买

    技术资料

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    TO-220 Fullpack, 3-Lead / TO-220F-3FGPDF53 点击下载
    FQPF16N15-D.pdfPDF567 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

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