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FQPF16N15

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 N 沟道 QFET

制造商:ON

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产品信息

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
  • "
  • 11.6A, 150V, R
  • = 160mΩ(最大值)@V
  • = 10 V, I
  • = 5.8A栅极电荷低(典型值:23nC)
  • 低 C
  • (典型值30pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 175°C最大结温额定值"
  • 175°C maximum junction temperature rating"

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FQPF16N15-- 立即购买

技术资料

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TO-220 Fullpack, 3-Lead / TO-220F-3FGPDF53 点击下载
FQPF16N15-D.pdfPDF567 点击下载
Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

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FPF2104FPF2193FYPF2006DNFAN6204A
FIN1215FXL5T244FIN1017FGD3040G2_F085
FSA2276FSQ0265RNFAN4800CSFDMF3035
FCP190N65S3FPF1003AFAN5421FAN3229T
FOD053LFAB3103FAN5236FAN53541
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