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    FOD3184

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     输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    FOD3184是输出电流为3A的高速MOSFET/IGBT栅极驱动光耦合器。 它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管(LED)组成,该二极管与具有PMOS和NMOS输出功率晶体管集成电路功率级的CMOS感测器进行光耦合。 它非常适用于等离子显示板(PDP)中使用的高频驱动的功率MOSFETS/IGBT、电机控制逆变器以及高性能的DC-DC转换器中。
    该器件封装在8引脚双列直插式外壳内,兼容260°C回流焊接工艺,符合无铅焊接的规定。
    • 具有35kV/µs共模抑制特点的高抗噪能力
    • 保证工作温度范围为-40°C至100°C
    • 为中等功率的MOSFET/IGBT提供最低3A的峰值输出电流
    • 快速开关速度
    • 210ns(最大值) 传播延迟
    • 65ns(最大值) 脉宽失真度
    • 快速输出上升/下降时间
    • 提供较低的动态功耗
    • 250kHZ最大开关速度广泛的V
    • CC
    • ,从15V至30V
    • 使用P沟道MOSFET作为输出级可使输出电压摆幅接近供电轨(轨到轨输出)
    • 带滞后的欠压闭锁保护(UVLO) - 优化用于驱动IGBT
    • 安全和法规认证
    • 1分钟UL1577,3,750 VAC
    • 最小爬电距离为8.0mm
    • IEC60747-5-2,1,414峰值工作绝缘电压(待审批)
    • 最小绝缘厚度为0.5mm
    • 最小爬电距离8.0mm(选项T)

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    型号制造商描述购买
    FOD3184TSV-- 立即购买
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    技术资料

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    8 LEAD PDIPPDF34 点击下载
    PDIP8 6.6x3.81, 2.54PPDF56 点击下载
    PDIP8 GWPDF62 点击下载
    PDIP8 GWPDF67 点击下载
    FOD3184-D.pdfPDF1913 点击下载
    UL:E90700_2PDF1257 点击下载
    SC_CQC14001116479.pdfPDF181 点击下载
    VDE:40018398PDF742 点击下载

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