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制造商：ON
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGH60N60SMD-F085 | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| TO-247-3LD | 59 | 点击下载 | |
| 600V, 60A Field Stop IGBT | 488 | 点击下载 | |
| SIMetrix SPICE | UNKNOW | 2 | 点击下载 |
从360新机N7的京东预约界面看，360新机N7保留了3.5mm耳机接口。在数据接口方面，360新机N7没有激进地采用type c接口，而是使用了广泛应用的Micro-USB接口。在闪存方面，有64GB与128GB两个版本可选。
Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。
SQJ264EP的通道1 MOSFET在10 V时最大导通电阻为20 mW，典型栅极电荷为9.2 nC，而通道2 MOSFET在10 V时的导通电阻为8.6 mW，典型栅极电荷为19.2 nC。
型号:HC080N06LS【06N06】 丝印：HC606 参数：60V 6A 类型：N沟道场效应管 沟槽型 内阻72mR 低结电容435pF 封装：SOT23-3 低开启电压1.8V 广泛用于车灯照明、车载电子、电动车应用、LED去频闪、LED升降压照明、太阳能源。 【惠海MOS管常...
...算性能和先进的软件功能，是手机摄影真正的杀手锏。360手机的AI防模糊智能成片技术，在用户每次按下快门前，自动进行五张连拍，并保留成片效果最佳的一张。360手机专利的AI智能曝光技术，对整个取景范围进行几千个区块...
...、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7003，该器件可采用高达 60V 的电源电压工作。
...高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7004，该器件用高达 60V 的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关，从而使该器件能够保持接通时间无限长。LTC7004 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns ...
| FSAV330 | FS6128-07 | FSQ0765RQ | FAN3100C |
| FSA2275 | FSGM300N | FCP125N65S3 | FIN224AC |
| FAN48619 | FPF2116 | FL77944 | FDH3595 |
| FPAB20BH60B | FGH75T65SQDT | FDS6910 | FPF2496 |
| FOD3182 | FCP260N65S3 | FODM1008 | FSBH0170W |
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