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    FGH40T65UQDF

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     650 V, 40 A 场截止沟道 IGBT

    制造商:ON

    产品信息

    安森美半导体新型场截止第 4 代 IGBT 采用创新型的场截止 IGBT 技术,可以提供优越的导通和开关性能,并且易于并联运行。
    该设备非常适合谐振或软开关应用,例如感应加热、微波炉等。
    • 最大结温: T
    • = 175°C
    • 正温度系数,易于并联运行
    • 高电流能力
    • 低饱和电压: V
    • = 1.33 V(典型值) @ I
    • = 40 A
    • I
    • (1)部件100%检测
    • 高输入阻抗
    • 快速开关
    • 紧密的参数分布
    • 符合 RoHS 标准

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