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    FDMF6840C

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     超小型、高性能、高频 DrMOS 模块

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    XS™ DrMOS 系列器件是飞兆下一代完全优化的超小型集成 MOSFET 及驱动器功率级解决方案,可用于高电流、高频率、同步降压 DC-DC 应用。 FDMF6840C 将驱动器 IC、两个功率 MOSFET 和自举肖特基二极管集成到了一个热增强的、超小型 6 x 6 毫米封装中
    。通过集成方法,可实现完整开关功率级的驱动器、MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET RDS(ON)优化。 XS™™ DrMOS采用飞兆半导体公司的高性能PowerTrench® MOSFET技术,显著减少开关振铃,省去大多数降压转换器应用中使用的缓冲器电路。
    驱动器 IC 通过减少死区时间和传播延迟,可进一步提高性能。 热警告功能 会发出潜在过温情况的警告。 FDMF6840C 还为提高轻负载效率整合了跳跃模式 (SMOD#)。 FDMF6840C 还提供了 3 态 3.3 V PWM 输入,可实现与广泛的 PWM 控制器的兼容性。
    • 高于 93% 的峰值效率
    • 高电流处理能力: 50 A
    • 高性能 PQFN 铜片封装
    • 三态 3.3V PWM 输入驱动器
    • 跳频模式 SMOD#(低侧门关断)输入
    • 为过温情况提供热警告标志
    • 驱动器输出禁用功能(DISB# 引脚)
    • SMOD# 输入和 DISB# 输入各自的内部上拉和下拉
    • 飞兆 PowerTrench® 技术 MOSFET,可提供干净的电压波形并降低振铃噪声
    • 低端 MOSFET 中的 Fairchild SyncFET™ ™(集成肖特基二极管)技术
    • 集成式自举肖特基二极管
    • 实现直通保护的自适应栅极驱动时序
    • 欠压锁定 (UVLO)
    • 为实现开关频率达到 1MHz 而优化
    • 飞兆绿色封装并符合 RoHS 标准
    • 薄型 SMD 封装。
    • 基于 Intel® 4.0 DrMOS 标准

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    型号制造商描述购买
    FDMF6840C-F013-- 立即购买
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    技术资料

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    PQFN40 6x6, 0.5PPDF96 点击下载
    Extra-Small, High-Performance, High-Frequency DrMOS ModulePDF716 点击下载

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