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    FDMC510P

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     -20V P沟道PowerTrench® MOSFET

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺已针对r
    、开关性能和稳固性进行了优化。
    • 最大值 R
    • = 8.0 mΩ(V
    • = -4.5 V, I
    • = -12 A
    • 最大值 R
    • = 9.8 mΩ(V
    • = -2.5 V, I
    • = -10 A
    • 最大值 R
    • = 13 mΩ(V
    • = -1.8 V, I
    • = -9.3 A
    • 最大值 R
    • = 17 mΩ(V
    • = -1.5 V, I
    • = -8.3 A
    • 高性能沟道技术可实现极低的R
    • 高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装
    • 100%经过UIL测试
    • 终端无引线且符合RoHS标准
    • HBM ESD能力等级> 2KV典型值

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    型号制造商描述购买
    FDMC510P-T-- 立即购买
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    技术资料

    标题类型大小(KB)下载
    WDFN8 3.3x3.3, 0.65PPDF29 点击下载
    P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -18 A, 8.0 m-OhmPDF310 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

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