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    FDC6392S

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     -20V集成式P沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管

    制造商:ON

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    产品信息

    FDC6392S将飞兆PowerTrench MOSFET技术所具有的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在SSOT-6封装中。 此器件专门设计为DC至DC转换器的单封装解决方案。 它具有带极低通态电阻的快速开关、低栅极电荷MOSFET。 独立连接的肖特基二极管允许其在大量DC/DC转换器拓扑下使用。
    • MOSFET:
    • -2.2A, -20V
    • R
    • = 150 mΩ @ V
    • = -4.5V
    • R
    • = 200 mΩ @ V
    • = -2.5V
    • 低栅极电荷(3.7nC典型值)
    • 紧凑的工业标准SuperSOT™-6封装
    • 肖特基:
    • V
    • < 0.45 V @ 1 A

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    技术资料

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    TSOT23, 6-Lead, 2.9x1.6PDF59 点击下载
    FDC6392S-D.pdfPDF309 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

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