尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    首页产品索引FDC6327C

    FDC6327C

    购买收藏
     双N和P沟道2.5V额定PowerTrench® MOSFET

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    这些N和P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件经过专门设计,能在极小的空间内实现优异的功率耗散,非常适合那些不宜采用更大更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装的应用。
    • N沟道2.7A,20V。 R
    • = 0.08Ω @ V
    • = 4.5V,R
    • = 0.12Ω @ V
    • = 2.5V P沟道-1.6A,-20V。R
    • = 0.17Ω @V
    • = -4.5V,R
    • = 0.25Ω @ V GS = -2.5V
    • 开关速度快。
    • 低栅极电荷。
    • 高性能沟道技术可实现极低的R
    • SuperSOT™ -6封装: 小尺寸(比标准SO-8小72%);薄型(1mm厚)。

    在线购买

    型号制造商描述购买
    FDC6327C-F169-- 立即购买
    FDC6327C-- 立即购买

    技术资料

    标题类型大小(KB)下载
    TSOT23, 6-Lead, 2.9x1.6PDF59 点击下载
    Dual N & P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFETPDF278 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

    应用案例更多案例

    系列产品索引查看所有产品

    FAN73901FAN7362FAN48618FGH40N60SF_F085
    FFSP1065AFFSH30120ADNFDMF3172FPF2107
    FSA2367FSQ110FODM1008FOD8012A
    FAN5069FSA266FSQ0565RSFUSB302
    FGH60N60SM_F085FFG3105FOD4216FNB40560B2
    Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照