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    FDC608PZ

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     -20V P沟道2.5V PowerTrench®额定MOSFET

    制造商:ON

    中文数据手册

    产品信息

    此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合电池供电应用: 负载开关和功率管理、电池电源电路和DC/DC转换。
    • -5.8A, -20V, R
    • = 30mΩ @ V
    • = -4.5V R
    • = 43mΩ @ V
    • = -2.5V
    • 低栅极电荷
    • 高性能沟道技术可实现极低的R
    • SuperSOT
    • ¨C6封装: 小尺寸(比标准 SO¨C8 小 72%);薄型(1 mm 厚)

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    型号制造商描述购买
    FDC608PZ-F171-- 立即购买
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    技术资料

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    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载
    Power MOSFET Avalanche GuidelinePDF557 点击下载
    Practical Considerations of Trench MOSFET Stability when Operating in Linear ModePDF836 点击下载
    A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating SystemPDF976 点击下载
    PCB Land Pattern Design and Surface Mount Guidelines for MicroFET™ PackagesPDF213 点击下载
    PSPICEUNKNOW120 点击下载
    TSOT23, 6-Lead, 2.9x1.6PDF59 点击下载
    P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFETPDF178 点击下载

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