制造商:ADI/AD
优势和特点
传播延迟:23 ns或65 ns
单电源供电
与3 V和5 V逻辑兼容
单独的输入和输出部分
低功耗
宽输入范围:–5 V至+3.9 V
产品详情
CMP401 和CMP402分别为23 ns和65 ns四通道比较器,采用独立的输入和输出电源。独立电源使输入级可以采用+3 V至±6 V电源供电。输出可以采用3 V或5 V电源供电,具体取决于接口逻辑或可用电源。独立的输入和输出电源以及快速传播特性,使得CMP401和CMP402成为便携式仪器仪表接口应用的绝佳选择。
CMP401和CMP402的额定温度范围为–40°C至+125°C扩展工业温度范围。两款器件均采用16引脚窄体SOIC表贴封装和16引脚TSSOP封装。
应用电池供电仪器仪表
线路接收机
电平转换器
读取通道检测
...导体及其更尖端的行业存在巨大风险。目前我国半导体用CMP浆料对外依赖率为87.4%,也属于高度对外依赖的产品。抛光浆料作为CMP工艺的技术核心和价值核心,技术壁垒高、认证时间久,是我国必须发展自有技术和产业的产品。
1)在单晶硅片制造环节,单晶硅片首先通过化学腐蚀减薄,此时粗糙度在 10-20μm,在进行粗抛光、细抛光、精抛光等步骤,可将粗糙度控制在几十个 nm 以内。一般来说,单晶硅片需要 2 次以上的抛光,表面才可以达到集成电路...
如今受美国“实体清单”事件的影响,陶氏与华为终止这一合作关系,必将给双方带来一定损失。
...发丝,难度可想而知。过去,国内抛光所用关键材料——CMP抛光垫,几乎全部依赖进口。位于武汉经济技术开发区的湖北鼎龙控股股份有限公司(以下简称“鼎龙股份”)投资近4亿元,经过6年的艰苦研发,建成目前国内唯一、...
CMP(Chemical Mechanical Polishing)即“化学机械抛光”,是为了克服化学抛光和机械抛光的缺点
在芯片制造制程和工艺演进到一定程度、摩尔定律因没有合适的抛光工艺无法继续推进之时,CMP技术应运而生,是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。传统的机械抛光和化学抛光去除速率均低至无法满足
本文介绍了半导体研磨方法中的化学机械研磨抛光CMP技术。
CMP设备为CMP技术应用的载体,为集机械学、流体力学、材料化学、精细化工、控制软件等多领城最先进技术于一体的设备,一般由检测系统、控制系统、抛光垫、废物处理系统等组成,是集成电路制造设备中较为复杂和研制难度...
CAT5191 | CAT93C46R | CESD5V0D5 | CL7 |
CSD18509Q5B | CESD3V3AP | CAT25256 | CAT1027 |
CNY174M | CM1624 | C8051F560-IQ | CM1223 |
CAT3604V | CAT5259 | CAT5271 | CAT4201 |
CAT1025 | C4532X5R1A476M | CAB-01 | CAV24C512 |