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制造商：ADI/AD
优势和特点
传播延迟：23 ns或65 ns
单电源供电
与3 V和5 V逻辑兼容
单独的输入和输出部分
低功耗
宽输入范围：–5 V至+3.9 V
产品详情
CMP401和CMP402分别为23 ns和65 ns四通道比较器，采用独立的输入和输出电源。独立电源使输入级可以采用+3 V至±6 V电源供电。输出可以采用+3 V或+5 V电源供电，具体取决于接口逻辑或可用电源。独立的输入和输出电源以及快速传播特性，使得CMP401和CMP402成为便携式仪器仪表接口应用的绝佳选择。CMP401和CMP402的额定温度范围为-40°C至+125°C扩展工业温度范围，采用16引脚塑封DIP或窄体SO-16表贴封装。关于16引脚TSSOP封装产品，请咨询ADI公司。
...手了：RTX 3060挖矿效率刻意降低一半，同时推出专用矿卡CMP（加密货币加密处理器）。 NVIDIA表示，CMP不做图形处理，没有显示输出，核心峰值电压和频率更低，一切只为挖矿而生，主要是以太坊，由授权合作伙伴销售。 根据...
博世集团选择罗德与施瓦茨(以下简称“R&S”公司)CMP200无线通信测试仪，用于在汽车生产中验证超宽带(UWB)应用。该项目是博世和R&S在无线通信领域长期合作项目的一个延续。
CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化学机械抛光”，是为了克服化学抛光和机械抛光的缺点
如何使用AT32F415比较器(CMP)？
得益于半导体业界的繁荣，世界cmp抛光液市场正在经历明显的增长。cmp抛光液是半导体制造中的关键成分，在实现集成电路制造的精度和效率方面发挥了关键作用。随着技术的发展，半导体的格局不断重新形成，对cmp抛光液的需求从来没有这么高过。
近日，为填补国内集成电路市场上产业化CMP建模工具的空白，满足芯片设计公司和晶圆制造厂的需求，广立微正式推出CMP EXPLORER（简称“CMPEXP”）工具，保障芯片的可制造性和成品率，解决行业的痛点。
化学机械抛光（CMP）是晶圆制造的关键步骤，其作用在于减少晶圆表面的不平整，而抛光液、抛光垫是CMP技术的关键耗材，价值量较高，分别占CMP耗材49%和33%的价值量，其品质直接影响着抛光效果，因而
CMP 主要负责对晶圆表面实现平坦化。晶圆制造前道加工环节主要包括7个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化 CMP 则主要用于衔接不同薄膜工艺，其中根据工艺
| CSD87502Q2 | CMP402 | CESD5V0D3 | C3225X7R1A226M |
| CAT6241 | CM2006 | C0805C104K3RAC7210 | CSD85302L |
| CAT93C46R | CAT102 | CAT5419 | CSD25481F4 |
| CAT5122 | CL325 | CAT3649 | C8051F800-GU |
| CAT4201 | CL10B104KB8NNNC | C1608C0G1H180J080AA | C1210V563KDRACTU |
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