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产品种类:MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 90 mA
Rds On-漏源导通电阻: 45 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.9 V
Qg-栅极电荷: 3.9 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 41 ns
正向跨导 - 最小值: 140 mS
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1 W
上升时间: 38 ns
系列: BSS225
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 62 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327XTSA1 SP001195032
特点：
N沟道
增强型
逻辑电平
dv / dt的额定
无铅引脚电镀;符合RoHS标准
BSS225H6327 封装图
编译完成后，ELF解析的bss数值3372，并不等于bss_end - bss_start，而是等于bss_end - sstack。
...场研究公司Omdia的最新报告表示，在过去的几年中，将OSS/BSS系统迁移到云端的电信运营商的比例一直保持相对稳定。对于电信公司来说，持续而稳定的变化已经成为云迁移的主流。但是，Omdia现在看到了一些积极的迹象，电信运...
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...存中主要占用了以下几个部分，分别是代码段、数据段、BSS，栈，堆，等参数。其中，代码、数据、BSS的内容是可执行文件中对应的内容，加载程序并不是把它们的内容从可执行程序中填充到内存中，而是将它们的信息（基地址...
| B140-E3/61T | BZV55-C18 | BM78 | BAT54AL |
| BAS70-04L | BSS225H6327 | B130-13-F | BAV103 |
| BB181 | BFG67/X | BDX54C | BZV55-C15 |
| B0922N7575A | BFG198 | BQ27441-G1 | BAT54T-XFCS |
| BQ51050BRHLR | BFR520 | B0505S-1WR2 | BCX19LT1G |
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