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    BSS123NH6327XTSA1

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    MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

     

    产品信息

    产品种类:MOSFET

    制造商: Infineon

    RoHS: 符合RoHS

    技术: Si

    安装风格: SMD/SMT

    封装 / 箱体: SOT-23-3

    通道数量: 1 Channel

    晶体管极性: N-Channel

    Vds-漏源极击穿电压: 100 V

    Id-连续漏极电流: 190 mA

    Rds On-漏源导通电阻: 6 Ohms

    Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

    Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V

    Qg-栅极电荷: 0.6 nC

    最大工作温度: + 150 C

    封装: Reel

    通道模式: Enhancement

    商标: Infineon Technologies

    配置: Single

    下降时间: 22 ns

    正向跨导 - 最小值: 0.41 S

    最小工作温度: - 55 C

    Pd-功率耗散: 500 mW

    上升时间: 3.2 ns

    系列: BSS123

    工厂包装数量: 3000

    晶体管类型: 1 N-Channel

    典型关闭延迟时间: 7.4 ns

    典型接通延迟时间: 2.3 ns

    零件号别名: BSS123N BSS123NH6327XT H6327 SP000870646

    单位重量: 1.438 g


    电路图、引脚图和封装图

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