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产品种类:MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 120 mA
Rds On-漏源导通电阻: 25 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.9 V
Qg-栅极电荷: 4.4 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 110 ns
正向跨导 - 最小值: 0.06 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
上升时间: 14.4 ns
系列: BSP125
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 7.7 ns
零件号别名: BSP125 H6327 SP001058576
单位重量: 250.200 mg
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