尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    首页产品索引BSD235NH6327XT

    BSD235NH6327XT

    购买收藏
    MOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

     

    产品信息

    产品种类:MOSFET

    制造商: Infineon

    RoHS: 符合RoHS

    技术: Si

    安装风格: SMD/SMT

    封装 / 箱体: SOT-363-6

    通道数量: 2 Channel

    晶体管极性: N-Channel

    Vds-漏源极击穿电压: 20 V

    Id-连续漏极电流: 950 mA

    Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms

    Vgs - 栅极-源极电压: 12 V

    Qg-栅极电荷: 0.32 nC

    最大工作温度: + 150 C

    封装: Reel

    商标: Infineon Technologies

    配置: Dual

    下降时间: 1.2 ns

    最小工作温度: - 55 C

    Pd-功率耗散: 500 mW

    上升时间: 3.6 ns

    系列: BSD235

    工厂包装数量: 3000

    晶体管类型: 2 N-Channel

    典型关闭延迟时间: 4.5 ns

    零件号别名: BSD235NH6327 BSD235NH6327XTSA1 SP000917652

    单位重量: 7.500 mg



    特点:

    双N沟道

    增强模式

    超逻辑电平(2.5V额定)

    额定雪崩

    符合AEC Q101

    100%•RoHS无铅;


    电路图、引脚图和封装图

    应用案例更多案例

    系列产品索引查看所有产品

    BA78M20FP-E2BYW51BQ40Z50BQ24072
    BQ51050BBSR58BD679ABQ76930
    BELASIGNA R262BAW56LBQ25890B57045K0472K000
    BD4837FVE-TRBD677B59100M1140A070BAV199L
    BZT52H-C18BFR92AB340A-13-FBFQ591
    Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照