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    BSD235NH6327XT

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    MOSFET N-Ch 20V 950mA SOT-363-6

     

    产品信息

    产品种类:MOSFET

    制造商: Infineon

    RoHS: 符合RoHS

    技术: Si

    安装风格: SMD/SMT

    封装 / 箱体: SOT-363-6

    通道数量: 2 Channel

    晶体管极性: N-Channel

    Vds-漏源极击穿电压: 20 V

    Id-连续漏极电流: 950 mA

    Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms

    Vgs - 栅极-源极电压: 12 V

    Qg-栅极电荷: 0.32 nC

    最大工作温度: + 150 C

    封装: Reel

    商标: Infineon Technologies

    配置: Dual

    下降时间: 1.2 ns

    最小工作温度: - 55 C

    Pd-功率耗散: 500 mW

    上升时间: 3.6 ns

    系列: BSD235

    工厂包装数量: 3000

    晶体管类型: 2 N-Channel

    典型关闭延迟时间: 4.5 ns

    零件号别名: BSD235NH6327 BSD235NH6327XTSA1 SP000917652

    单位重量: 7.500 mg



    特点:

    双N沟道

    增强模式

    超逻辑电平(2.5V额定)

    额定雪崩

    符合AEC Q101

    100%•RoHS无铅;


    电路图、引脚图和封装图

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