产品种类:MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 950 mA
Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Qg-栅极电荷: 0.32 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 1.2 ns
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 500 mW
上升时间: 3.6 ns
系列: BSD235
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 4.5 ns
零件号别名: BSD235NH6327 BSD235NH6327XTSA1 SP000917652
单位重量: 7.500 mg
特点:
双N沟道
增强模式
超逻辑电平(2.5V额定)
额定雪崩
符合AEC Q101
100%•RoHS无铅;
BSD235NH6327XT 封装图
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BQ500212A | BZV55-C30 | B82722-J2302-N1 | BAT54CXV3 |
BDW47 | BSP324H6327XTSA1 | BD677G | BAV99 |
BQ24157S | BQ40Z60 | BD30KA5WFP-E2 | BQ29200 |
B82144A2225J | BFG97 | BAS31 | BQ34Z110 |
BAS40-06L | BFG520/X | BQ24040 | BAS16L |