尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    首页产品索引AT45DB021D-SH-T

    AT45DB021D-SH-T

    购买收藏
    AT45DB021D是2.7V ,串行接口闪存非常适合宽各种数字支持语音,图像 - ,程序代码和数据存储应用。

     

    产品信息

      该AT45DB021D是2.7V ,串行接口闪存非常适合宽各种数字支持语音,图像 - ,程序代码和数据存储应用。

      AT45DB021D支持要求非常高的应用急流串行接口速度操作。急流串行接口SPI的频率兼容多达66兆赫。其2162688位存储器组织为1024页,每页256字节或264每个字节。除了在主存储器中, AT45DB021D还包含一个

      的二百六十四分之二百五十六字节的SRAM缓存。 EEPROM仿真(位或字节变性)是很容易带有自包含三个步骤的读 - 修改 - 写操作进行处理。不像conven-了与多个地址线和一个随机访问tional闪存并行接口时,数据闪存®采用了急流串行接口依次访问其数据。简单的顺序访问极大地降低了活动的引脚数,有利于硬件布局,提高了系统的可靠性,最大限度地降低开关噪声,并降低了封装尺寸。

      特点

      2.7V至3.6V单电源

      急流串行接口: 66 MHz最大时钟频率

      - 兼容SPI模式0和3

      用户可配置的页面大小

      - 每页256字节

      - 每页264字节

      - 页面大小可在工厂预先配置为256字节

      页编程操作

      - 智能编程操作

      - 1024页(二百六十四分之二百五十六字节/页)主内存

      灵活的擦除选项

      - 页擦除( 256字节)

      - 块擦除( 2字节)

      - 擦除扇区(32字节)

      - 芯片擦除( 2兆)

      一个SRAM数据缓冲区( 264分之256字节)

      通过整个阵列连续读取功能

      - 理想的代码映射应用程序

      低功耗

      - 7毫安有效的读电流典型

      - 25 μA待机电流典型

      - 15 μA深度掉电典型

      硬件和软件数据保护功能

      - 个别部门

      部门锁定的安全代码和数据存储

      - 个别部门

      安全性: 128字节安全寄存器

      - 64字节的用户可编程空间

      - 唯一的64字节的设备标识符

      JEDEC标准制造商和设备ID读

      100000编程/擦除周期每页最低

      数据保留 - 20岁

      工业温度范围

      绿色(无铅/无卤化物/ RoHS标准)的包装选项


    电路图、引脚图和封装图

    应用案例更多案例

    系列产品索引查看所有产品

    ATM90E32ASAD8271ADL5561AD8513
    AD9704ADN2815AD5734RAIS2120SX
    ADM211EAD7795ADL6010ARX342CS
    ADM1487EAD7818ADUM7234AD8293G160
    ADRF6780ADA4528-2ADL5904at89c2051-12sl
    Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照