该AT28C64B是一个高性能的电可擦除和可编程只读只读存储器( EEPROM)中。它的内存64K是由8位,8,192字。与Atmel先进的非易失性CMOS技术,该器件还提供制造访问时间为150 ns的只有220毫瓦的功耗。当该装置是取消选择,在CMOS待机电流小于100微安。
特点
快速读取访问时间 - 150纳秒
自动页写操作
- 内部地址和数据锁存为64字节
快速写周期时间
- 页写周期时间: 10 ms最大(标准)
2 ms最大(选项 - 参考AT28HC64BF数据表)
- 1到64字节页写操作
低功耗
- 40毫安工作电流
- 100 μA CMOS待机电流
硬件和软件数据保护
数据轮询和切换位写检测结束
高可靠性的CMOS技术
- 耐力: 100,000次
- 数据保存:10年单5V±10%
供应
CMOS和TTL兼容输入和输出
JEDEC批准字节宽引脚
工业温度范围
绿色(无铅/无卤化物)的包装选项
AT28C64B-15PU 封装图
AT28C64B-15PU 封装图
AT28C64B-15PU 封装图
AT28C64B-15PU 封装图
AT28C64B-15PU 引脚图
AT28C64B-15PU 引脚图
AT28C64B-15PU电路图
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AT24C64典型应用电路图 at24c32/at24c64中文资料 &nb
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