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    AO4485

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    MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC

     

    规格参数

    产品分类

    场效应管(MOS管)

    三极管及MOS管



    FET配置(电路类型)

    P沟道


    漏源击穿电压V(BR)dss

    40V


    漏极电流(Id, 连续)

    10A(Ta)


    导通电阻 Rds(on)

    15毫欧


    阈值电压Vgs(th)

    2.5V@250µA


    最大耗散功率

    1.7W


    封装/外壳

    8-SOIC(0.154",3.90mm宽)



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    AO4485AOS表面贴装型 P 通道 40 V 10A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC 立即购买

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