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    AO3419

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    P沟道增强型场效应晶体管。

     

    产品信息

      概述

      该AO419采用先进的沟槽技术提供了优秀的研发DS ( ON),低栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V 。装置适合于用作负载开关或以PWM应用程序。这是ESD保护。 AO3419L(绿色产品)的无铅封装提供。

      特点

      VDS(V) = -20V

      ID= -3.5 A

      RDS ( ON)《 75mΩ (VGS= -10V)

      RDS ( ON)《 95mΩ (VGS= -4.5V)

      RDS ( ON)《 145mΩ (VGS= -2.5V)

      ESD额定值: 2000V HBM


    电路图、引脚图和封装图

    技术资料

    标题类型大小(KB)下载
    AO3419_PFN规格书PDF1790 点击下载
    长虹 PF3419(CH05T1601)电路图PDF227 点击下载
    长虹C3419PN彩电电路图RAR2048 点击下载
    长虹C3419D彩电电路图RAR1331 点击下载
    AO3403 P沟道增强型场效应晶体管PDF114 点击下载
    模拟量输出(AO)_labview程序案例RAR1503 点击下载

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