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    AO3418

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    P沟道增强型场效应晶体管。

     

    产品信息

      概述

      该AO3418采用先进的沟槽技术提供了优秀的研发DS ( ON),极低的栅极电荷和操作与栅极电压低至2.5V 。这装置适合于用作负载开关或以PWM应用程序。 AO3418L (绿色产品)提供的无铅封装。

      特点

      VDS(V) = 30V

      ID= 3.8 A

      RDS ( ON)《的60mΩ (VGS= 10V)

      RDS ( ON)《 70mΩ (VGS= 4.5V)

      RDS ( ON)《 155mΩ (VGS= 2.5V)


    电路图、引脚图和封装图

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