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    AO3415

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    MOS(场效应管)

     

    产品信息

    描述

        AO3415采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON ),与栅极电压低至1.8V的低栅极电荷和操作。本装置适用于负荷开关或PWM应用。它是ESD保护。AO3415无铅(符合RoHS及索尼259的规格)。而AO3415l是一种绿色产品订购选项。并且AO3415和AO3415l电性

    相同。

    特点     

    类别: 分立式导体产品

    家庭: FET - 单

    系列: -

    包装: 剪切带 (CT)

    FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物

    FET 功能: 逻辑电平栅极,1.8V 驱动

    漏源极电压 (Vdss): 20V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时): 4A (Ta)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值): 43 毫欧 @ 4A,4.5V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg): 17.2nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): 1450pF @ 10V

    功率 - 最大值: 1.4W

    安装类型: 表面贴装

    封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

    供应商器件封装: SOT-23-3


    电路图、引脚图和封装图

    技术资料

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    长虹CHD3415彩色电视机IIC总线EEPROM数据RAR2 点击下载
    长虹_SF3415(使用)PDF4373 点击下载
    MC34152/MC33152/MC34152PG,pdfRAR333 点击下载
    MC34152P.pdfRAR333 点击下载
    长虹CHD34156(F19)彩电IIC总线EEPROM数据RAR4 点击下载
    TCL王牌HID34158H(Gu21机芯)彩电电路图PDF745 点击下载
    AO3413,pdf datasheet (P-ChanneRAR322 点击下载
    AO3400_N-Channel_Enhancement_Mode_Field_Effect_TransistorPDF109 点击下载

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