制造商:ADI/AD
优势和特点
反射式50 Ω设计
低插入损耗:0.6 dB(典型值,2 GHz)
高隔离度:50 dB(典型值,2 GHz)
高功率处理
连续平均功率:43 dBm
峰值功率:46.5 dBm
高线性度
0.1 dB压缩(P0.1dB):>46 dBm(典型值)
输出三阶交调截点(IP3):68 dBm(典型值,2 GHz)
ESD额定值
人体模型(HBM):2 kV,2级
充电器件模型(CDM):待定
单正电源
VDD:5 V
正控制,TTL兼容
VCTL: 0 V 或 5 V
24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装 (16 mm2)
产品详情
ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、单刀双掷(SPDT)硅开关,采用无引脚、表贴封装。该开关非常适合高功率和蜂窝基础设施应用,如长期演进(LTE)基站。ADRF5130具有43 dBm(典型值)高功率处理能力、0.6 dB低插入损耗、68 dBm(典型值)输入线性度三阶交调截点和46 dBm下的0.1 dB压缩点(P0.1dB)。片内电路在5 V单正电源电压下工作,典型偏置电流为1 mA,使其成为基于引脚二极管开关的理想替代器件。
该器件采用符合RoHS标准的紧凑型24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装。
应用
蜂窝/4G基础设施
无线基础设施
军事和高可靠性应用
测试设备
引脚二极管替代器件
ADRF5130 引脚图
ADRF5130电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ADRF5130BCPZ-R7 | - | - | 立即购买 |
ADRF5130BCPZ | - | - | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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High Power Switches: Reduce Size and Save Power in Cellular Front Ends | 915 | 点击下载 |
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