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    ADR435BRZ

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    超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力。

     

    产品信息

      概述

      该电压源ADR43x系列是一个家庭的XFET基准电压源具有低噪声,高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司拥有专利权的温度漂移曲率校正和XFET (额外注入结型场效应管)技术,该电压源ADR43x的电压变化与温度的非线性是最小化。

      该XFET引用在较低的功耗(800 μA )和操作电源裕量( 2 V ),比埋齐纳参考。 Buried-齐纳参考需要5 V以上的裕量进行操作。该电压源ADR43x XFET基准是唯一的低噪声解决方案5 V系统。

      该电压源ADR43x系列有能力提供高达30毫安和吸收高达20 mA的输出电流。它还配备了一个TRIM终端来调整输出电压在0.5%范围内而不会影响性能。该电压源ADR43x可用在8引脚的迷你型SOIC和8引脚SOIC封装。

      特点

      1.低噪声( 0.1 Hz至10 Hz ) : 3.5 μV峰峰值@ 2.5 V输出

      2.无需外部电容

      3.低温COEF网络cient

      A级: 10 PPM / ° C最大值

      B级:为3 ppm / ° C最大值

      4.负载调整率: 15 PPM / MA

      5.线路调整率: 20 PPM / V

      6.宽工作范围

      ADR430 : 4.1 V至18 V

      ADR431 : 4.5 V至18 V

      ADR433 : 5.0 V至18 V

      ADR434 : 6.1 V至18 V

      ADR435 : 7.0 V至18 V

      ADR439 : 6.5 V至18 V

      7.高输出电流: 30毫安/ -20毫安

      8.使用温度范围广:−40°C至+ 125°C


    电路图、引脚图和封装图

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