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制造商：ADI/AD
优势和特点
低噪声（0.1 Hz至10 Hz）ADR420: 1.75 μV 峰峰值 ADR421: 1.75 μV 峰峰值 ADR423: 2.0 μV峰峰值ADR425: 3.4 μV峰峰值
低温度系数：3 ppm/°C
长期稳定性：50 ppm/1000小时
负载调整率：70 ppm/mA
电压调整率：35 ppm/V
低迟滞：40 ppm（典型值）
宽工作电压范围ADR420: 4 V 至 18 V ADR421: 4.5 V 至18 V ADR423: 5 V 至18 V ADR425: 7 V 至 18 V
静态电流：0.5 mA（最大值）
高输出电流：10 mA
宽温度范围：−40°C至+125°C
产品详情
ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。
ADR42x具有出色的噪声性能、稳定性和精度，非常适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚，在±0.5%范围内调整输出电压，其它性能则不受影响。ADR42x系列分为两种电气等级，额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围，提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装（后者比前者小30%）。
应用
精密数据采集系统
高分辨率转换器
电池供电仪器仪表
便携式医疗仪器
工业过程控制系统
精密仪器
光纤网络控制电路
数据手册, Rev. H, 6/07
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| ADF4154 | AT91SAM9260 | AD7170 | ADSP-21479 |
| ADP3623 | AD7710 | ADUM5212 | ADM483 |
| AD8005 | ADUM2400 | AD7666 | AD8092 |
| ADM1087 | ADV7181C | ADP3631 | ADM6710 |
| AD5337 | ADP1882 | ad637 | ADS8323 |
元器件业务：
0731-85350837
0731-85351037
PCB/SMT/PCBA业务：
0755-83688678
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