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    ADR421

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    超精密、低噪声、2.500 V XFET®基准电压源

    制造商:ADI/AD

    产品信息

    优势和特点

      低噪声(0.1 Hz至10 Hz)

      ADR420: 1.75 μV峰峰值

      ADR421: 1.75 μV 峰峰值

      ADR423: 2.0 μV 峰峰值

      ADR425: 3.4 μV 峰峰值

      低温度系数:3 ppm/°C

      长期稳定性:50 ppm/1000小时

      负载调整率:70 ppm/mA

      电压调整率:35 ppm/V

      低迟滞:40 ppm(典型值)

      宽工作电压范围

      ADR420: 4 V至18 V

      ADR421: 4.5 V 至18 V

      ADR423: 5 V 至 18 V

      ADR425: 7 V 至18 V

      静态电流:0.5 mA(最大值)

      高输出电流:10 mA

      宽温度范围:−40°C至+125°C

    产品详情

    ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源,具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性,采用SOIC和MSOP封装。

    利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术,可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比,还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。

    ADR42x具有出色的噪声性能、稳定性和精度,非常适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚,在±0.5%范围内调整输出电压,其它性能则不受影响。ADR42x系列分为两种电气等级,额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围,提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装(后者比前者小30%)。

    应用

      精密数据采集系统

      高分辨率转换器

      电池供电仪器仪表

      便携式医疗仪器

      工业过程控制系统

      精密仪器

      光纤网络控制电路

    电路图、引脚图和封装图

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    技术资料

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    AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0)PDF237 点击下载

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