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制造商：ADI/AD
优势和特点
低噪声（0.1 Hz至10 Hz）
ADR420: 1.75 μV峰峰值
ADR421: 1.75 μV 峰峰值
ADR423: 2.0 μV 峰峰值
ADR425: 3.4 μV 峰峰值
低温度系数：3 ppm/°C
长期稳定性：50 ppm/1000小时
负载调整率：70 ppm/mA
电压调整率：35 ppm/V
低迟滞：40 ppm（典型值）
宽工作电压范围
ADR420: 4 V至18 V
ADR421: 4.5 V 至18 V
ADR423: 5 V 至 18 V
ADR425: 7 V 至18 V
静态电流：0.5 mA（最大值）
高输出电流：10 mA
宽温度范围：−40°C至+125°C
产品详情
ADR42x系列为超精密、第二代外加离子注入场效应管(XFET)基准电压源，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定特性，采用SOIC和MSOP封装。
利用温度漂移曲率校正专利技术和XFET技术，可以使电压随温度变化的非线性度降至最小。XFET架构能够为带隙基准电压源提供出色的精度和热滞性能。与嵌入式齐纳二极管基准电压源相比，还能以更低的功耗和更小的电源裕量工作。
ADR42x具有出色的噪声性能、稳定性和精度，非常适合光纤网络和医疗设备等精密转换应用。此外还可利用其调整引脚，在±0.5%范围内调整输出电压，其它性能则不受影响。ADR42x系列分为两种电气等级，额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围，提供8引脚SOIC封装或8引脚MSOP封装（后者比前者小30%）。
应用
精密数据采集系统
高分辨率转换器
电池供电仪器仪表
便携式医疗仪器
工业过程控制系统
精密仪器
光纤网络控制电路
ADR421 引脚图
ADR421电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ADR421BRZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
| ADR421BRZ | - | - | 立即购买 |
| ADR421BR-REEL7 | - | - | 立即购买 |
| ADR421BR | - | - | 立即购买 |
| ADR421ARZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
| ADR421ARZ | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| AN-713: The Effect of Long-Term Drift on Voltage References (Rev. 0) | 237 | 点击下载 |
雅特力AT32F421系列超值型Cortex-M4MCU，着眼于超低开发预算需求，发售价可媲美Cortex-M0价格，自2020年9月正式发布，产品推出两年来受到市场用户一致认可，已经成功应用于电机
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
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| AD9246 | AD677 | ADP5014 | AD9518-2 |
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