制造商:ADI/AD
优势和特点
初始精度 A 级: ±0.24% B 级: ±0.12%
最大温度系数 A 级: 25 ppm/°C B 级: 9 ppm/°C
低压差:300 mV(ADR121、ADR125)
高输出电流:+5 mA/−2 mA
低工作电流:85 µA(典型值)
输入范围:2.7 V至18 V (ADR127)
温度范围:−40°C至+125°C
小型TSOT (UJ-6)封装
产品详情
ADR121/ADR125/ADR127属于微功耗、高精度、串联模式、带隙基准电压源系列,具有吸电流和源电流能力。这些器件具有高精度和低功耗特性,采用小型封装。ADR12x采用温度漂移曲率校正专利设计技术,可以将输出电压与温度特性关系曲线的非线性度降至最小。
ADR12x是一款低压差(LDO)基准电压源,输入端电压只需高出标称输出电压300 mV (ADR121/ADR125)或1.45 V (ADR127),便可提供稳定的输出电压。这种低压差性能连同85 μA的低工作电流特性,使ADR12x成为电池供电应用的理想选择。
ADR121/ADR125/ADR127的工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围,采用小型TSOT (UJ-6)封装。
应用-电池供电仪器仪表-便携式医疗设备-数据采集系统-汽车电子
ADR127 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ADR127BUJZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
ADR127AUJZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
杭州东沃电子(DOWOSEMI)专业供应的ULQ2003ADR芯片,是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列,由7个NPN达林顿对组成,具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
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杭州东沃电子(DOWOSEMI)专业供应的ULQ2003ADR芯片,是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列,由7个NPN达林顿对组成,具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
ADS127L11是德州仪器在2021年发布的高分辨率高采样率ΣΔADC,在评估其噪声和有效分辨率的时候可以运用本文论述的基于Histogram Analysis的方法。
杭州东沃电子(DOWOSEMI)专业供应的ULQ2003ADR芯片,是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列,由7个NPN达林顿对组成,具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
杭州东沃电子(DOWOSEMI)专业供应的ULQ2003ADR芯片,是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列,由7个NPN达林顿对组成,具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
ADRF5720是一款6位硅数字衰减器,以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减。ADRF5024是一款通用型单刀双掷(SPDT)硅开关。
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ADE7912 | ATTINY25-20SU | AD5722R | AD8251 |
ADP223 | ADG419 | ADV3228 | AT25128-10PC |
ADS7947 | AD7861 | ADUM5241 | ADUC834 |
ADA4859-3 | AD5424 | AD8009 | AD7143 |
ADE7753 | AD5410 | ADL5367 | AD10200 |