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制造商：ADI/AD
优势和特点
−3 dB带宽RF1和RF4：DC至11 GHzRF2和RF3：DC至14 GHz
插入损耗： 0.26 dB（2.5 GHz，典型值）
隔离： 24 dB（2.5 GHz，典型值）
高线性度IIP3： 69 dBm（典型值）
开关导通时间： 30 µs（典型值）
导通电阻1.6 Ω（典型值）
电源电压： 3.3 V标称值
密封开关触点
启动寿命： 10亿周期（最小值）
集成驱动器兼容CMOS-/TTL并行接口
休眠模式电流： 1 µA功耗
24引脚5 mm × 4 mm × 0.95 mm LFCSP
欲了解更多信息，请通过电子邮件转发一份完整的 保密协议(NDA)(pdf) 至 MEMswitch@analog.com。
ADGM1304 封装图
ADGM1304电路图
ADGM1304 引脚图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ADGM1304JCPZ-RL7 | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| UG-644: Evaluating the ADGM1304 0 Hz/DC to 14 GHz, Single-Pole, Four-Throw MEMS Switch with Integrated Driver (Rev. A) | 498 | 点击下载 |
先进的数字处理器IC要求通过单独的DC参数和高速数字自动测试设备(ATE)测试，以达到质保要求。这带来了很大的成本和组织管理挑战。本文介绍 ADGM1001 SPDT MEMS开关如何助力一次性通过
晶扬电子近日推出一款超低电阻与快速上升时间单通道负载开关芯片—TL1304。该产品包含一个N通道的MOSFET，可以在0.8V至5V的输入电压范围内工作，并可以支持4.5A的最大连续电流。可广泛
解决早期RF MEMS开关解决方案的可靠性问题。ADI的ADGM1001（SPDT）声称致动寿命为100亿次循环，而Menlo的理想开关解决方案的额定驱动寿命为3亿次循环。
主要特性 高灵敏度和低暗电流 TCD1304DG 具有高灵敏度和低暗电流，非常适合需要精确和可靠图像捕捉的应用。传感器包含 3648 个光敏元件，每个元件尺寸为 8 µm x 200 µm，确保
常用晶体管参数大全Daten ohne Gewahr 2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W | 2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz 2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz | 2N1307 GE-P 30V 0.3A 0.15
晶扬电子近日推出一款超低电阻与快速上升时间单通道负载开关芯片—TL1304。该产品包含一个N通道的MOSFET，可以在0.8V至5V的输入电压范围内工作，并可以支持4.5A的最大连续电流。可广泛
图形后部有气隙的铰链结构。该开关设计用于ADGM1304 SP4T MEMS开关和增强型ESD保护型ADGM1004 SP4T开关。
卓越的高速和直流性能：实现从DC到34 GHz的宽带宽是当今行业面临的挑战。ADGM1001在插入损耗、线性度、RF功率处理和R等关键参数领域提供从直流至34 GHz的领先性能。
| ADM8316 | ADIS16375 | AMP03 | AD7605-4 |
| ADATE209 | ADS1610 | ADXL701 | ATTINY45-20SU |
| ATA6670 | AD8182 | AD9974 | AD5381 |
| ADP8870 | at25df641 | ADUM1402 | ADSP-BF523 |
| ADA4932-2 | ADE7758ARWZ | AD5228 | ADA4500-2 |
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