制造商:ADI/AD
优势和特点
−3 dB带宽RF1和RF4:DC至11 GHzRF2和RF3:DC至14 GHz
插入损耗: 0.26 dB(2.5 GHz,典型值)
隔离: 24 dB(2.5 GHz,典型值)
高线性度IIP3: 69 dBm(典型值)
开关导通时间: 30 µs(典型值)
导通电阻1.6 Ω(典型值)
电源电压: 3.3 V标称值
密封开关触点
启动寿命: 10亿周期(最小值)
集成驱动器兼容CMOS-/TTL并行接口
休眠模式电流: 1 µA功耗
24引脚5 mm × 4 mm × 0.95 mm LFCSP
欲了解更多信息,请通过电子邮件转发一份完整的 保密协议(NDA)(pdf) 至 MEMswitch@analog.com。
ADGM1304 封装图
ADGM1304电路图
ADGM1304 引脚图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ADGM1304JCPZ-RL7 | - | - | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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UG-644: Evaluating the ADGM1304 0 Hz/DC to 14 GHz, Single-Pole, Four-Throw MEMS Switch with Integrated Driver (Rev. A) | 498 | 点击下载 |
先进的数字处理器IC要求通过单独的DC参数和高速数字自动测试设备(ATE)测试,以达到质保要求。这带来了很大的成本和组织管理挑战。本文介绍 ADGM1001 SPDT MEMS开关如何助力一次性通过
解决早期RF MEMS开关解决方案的可靠性问题。ADI的ADGM1001(SPDT)声称致动寿命为100亿次循环,而Menlo的理想开关解决方案的额定驱动寿命为3亿次循环。
主要特性 高灵敏度和低暗电流 TCD1304DG 具有高灵敏度和低暗电流,非常适合需要精确和可靠图像捕捉的应用。传感器包含 3648 个光敏元件,每个元件尺寸为 8 µm x 200 µm,确保
常用晶体管参数大全Daten ohne Gewahr 2N109 GE-P 35V 0.15A 0.165W | 2N1304 GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz 2N1305 GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz | 2N1307 GE-P 30V 0.3A 0.15
图形后部有气隙的铰链结构。该开关设计用于ADGM1304 SP4T MEMS开关和增强型ESD保护型ADGM1004 SP4T开关。
卓越的高速和直流性能:实现从DC到34 GHz的宽带宽是当今行业面临的挑战。ADGM1001在插入损耗、线性度、RF功率处理和R等关键参数领域提供从直流至34 GHz的领先性能。
先进的数字处理器IC要求通过单独的DC参数和高速数字自动测试设备(ATE)测试,以达到质保要求。这带来了很大的成本和组织管理挑战。本文将介绍ADGM1001 SPDT MEMS开关如何助力一次性通过
先进的数字处理器IC要求通过单独的DC参数和高速数字自动测试设备(ATE)测试,以达到质保要求,这带来了很大的成本和组织管理挑战。
AD5547 | AD8682 | ADCMP609 | AD7789 |
AD9958 | AD9279 | ATMEGA169PA-AU | AD7982 |
ADP8860 | AD5344 | AD8150 | ADD8710 |
AD7797 | ADP7105 | AM26LV32EIPWR | AD7877 |
AD8669 | ATMEGA168A-PU | AIS2120SX | ADG798 |