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制造商：ADI/AD
优势和特点
防闩锁
3.5 pF关断源极电容
33 pF关断漏极电容
0.35 pC典型电荷注入
±0.02 nA通道接通漏电流
低导通电阻：典型值155 Ω
±9 V至±22 V双电源供电
9 V至40 V单电源供电
模拟信号范围：VSS 至 VDD
人体模型(HBM) ESD额定值 - 8 kV：I/O端口到电源
产品详情
ADG5207是一款单芯片CMOS模拟多路复用器，内置8个差分通道。ADG5207根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路差分输入之一切换至公共差分输出。该器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。当此引脚处于低电平时，器件禁用，所有通道关闭。这些开关具有超低电容和电荷注入特性，因而是要求低毛刺和快速建立时间的数据采集与采样保持应用的理想解决方案。较快的开关速度及高信号带宽，使这些器件适合视频信号切换应用。
当接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。
ADG5207无VL引脚，逻辑电源由片内电压发生器在内部产生。
应用
自动测试设备
数据采集
仪器仪表
航空电子
电池监控
通信系统
产品特色
沟道隔离可防止闩锁。电介质沟道将P沟道与N沟道晶体管分开，保证即使在严重过压状况下，也不会发生闩锁现象。
针对低电荷注入、低开关电容和低泄露电流优化的开关设计。
ADG5207在连接电源引脚的I/O端口上达到8 kV，在连接I/O端口引脚的I/O端口上达到2 kV，并在所有其他引脚上达到8 kV。
双电源供电。对于双极性模拟信号应用，ADG5207可以采用高达±22 V的双电源供电。
单电源供电。对于单极性模拟信号应用，ADG5207可以采用高达40 V的单轨电源供电。
ADG5207 引脚图
ADG5207电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ADG5207BRUZ-RL7 | - | - | 立即购买 |
| ADG5207BRUZ | - | - | 立即购买 |
| ADG5207BCPZ-RL7 | - | - | 立即购买 |
FP5207B 是非同步升压控制 IC，透过 EXT Pin 控制外部 NMOS，输入低启动电压 2.8V 与宽工作电压 5V~24V，单节锂电池 3V~4.2V 应用，将 Vout 接到 HVDD
FP5207B 是非同步升压控制 IC，透过 EXT Pin 控制外部 NMOS，输入低启动电压 2.8V 与宽工作电压 5V~24V，单节锂电池 3V~4.2V 应用，将 Vout 接到 HVDD
FP5207B 是非同步升压控制 IC，透过 EXT Pin 控制外部 NMOS，输入低启动电压 2.8V 与宽工作电压 5V~24V，单节锂电池 3V~4.2V 应用，将 Vout 接到 HVDD
01芯片概述FP5207B是一款大功率异步升压恒压芯片，外置N沟MOS驱动，与肖特基和电感形成回路组成升压架构;工作电压低至2.8V启动，可适用已单节电池供电，高至24V宽压工作，甚至可通过外部
01芯片概述FP5207B是一款大功率异步升压恒压芯片，外置N沟MOS驱动，与肖特基和电感形成回路组成升压架构;工作电压低至2.8V启动，可适用已单节电池供电，高至24V宽压工作，甚至可通过外部
FP5207B是一款大功率异步升压恒压芯片，外置N沟MOS驱动，与肖特基和电感形成回路组成升压架构;
FP5207B 是非同步升压控制 IC，透过 EXT Pin 控制外部 NMOS，输入低启动电压 2.8V 与宽工作电压 5V~24V，单节锂电池 3V~4.2V 应用，将 Vout 接到 HVDD
FP5207B 是非同步升压控制 IC，透过 EXT Pin 控制外部 NMOS，输入低启动电压 2.8V 与宽工作电压 5V~24V，单节锂电池 3V~4.2V 应用，将 Vout 接到 HVDD
| AD5671R | ADL5801 | ADUM5201 | AD7814 |
| adum4160 | ATSAML22G16A | ATMEGA2560-16AU | AD9773 |
| ADA4891-3 | AD5327 | ADG732 | ADV7680 |
| AX8052F143 | AD9116 | ADG704 | ADG783 |
| AD596 | ADL5721 | AD7262 | AD8422 |
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