![](/Public/img/home/cart.png)
制造商:ADI/AD
优势和特点
信噪比(SNR):79.0 dBFS(70 MHz、125 MSPS)
无杂散动态范围(SFDR):93 dBc(70 MHz、125 MSPS)
低功耗:373 mW (125 MSPS)
1.8 V模拟电源供电
1.8 V CMOS或LVDS输出电源
1至8整数输入时钟分频器
中频采样频率达300 MHz
小信号输入噪声:−154.3 dBm/Hz(200 Ω输入阻抗、70 MHz、125 MSPS)25 MSPS
可选片内抖动
可编程ADC内部基准电压源
集成ADC采样保持输入
欲了解更多特性,请参考数据手册
产品详情
AD9265是一款16位、125 MSPS模数转换器(ADC),旨在支持需要高性能、低成本、小尺寸且具多功能性的通信应用。
这款ADC内核采用多级、差分流水线架构,并集成了输出纠错逻辑。它具有宽带宽、差分采样保持模拟输入放大器,支持用户可选的各种输入范围。集成基准电压源可简化设计。占空比稳定器可用来补偿ADC时钟占空比的波动,使转换器保持出色的性能。ADC输出数据格式为并行1.8 V CMOS或LVDS (DDR)。
需要时,灵活的省电选项可以明显降低功耗。设置与控制编程利用三线式SPI兼容型串行接口来完成。
AD9265采用48引脚LFCSP封装,额定温度范围为−40°C至+85°C工业温度范围。
应用通信
多模式数字接收机(3G)
GSM、EDGE、WCDMA、LTE、CDMA2000、WiMAX、TD-SCDMA智能天线系统
通用软件无线电
宽带数据应用
超声设备
AD9265 引脚图
AD9265电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
AD9265BCPZRL7-125 | - | - | 立即购买 |
AD9265BCPZRL7-105 | - | - | 立即购买 |
AD9265BCPZRL7-80 | - | - | 立即购买 |
AD9265BCPZ-80 | - | - | 立即购买 |
AD9265BCPZ-105 | - | - | 立即购买 |
AD9265BCPZ-125 | - | - | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
---|---|---|---|
UG-074:评估模数转换器AD9265/AD9255 | 1446 | 点击下载 | |
UG-074: Evaluating the AD9265/AD9255 Analog-to-Digital Converters | 1446 | 点击下载 |
点击蓝字 关注我们 本系列文章将介绍 安森美(onsemi) 高边SmartFET的结构和设计理念,可作为了解该器件在特定应用中如何工作的指南。范围仅限于具有模拟电流检测输出的SmartFET。本系列文章将分为四部分,之前我们介绍了 应用详情、功率FET和保护以及功率元件的物理结构以及利用功率FET所采用的不同技术 。今天为第二部分,将继续介绍该器件中集成的保护特性,这些特性可在系统故障情况下保护器件本身。 原版文档获取 点击文末的“ 赞 ”和“ 在看
当下汽车工业正在经历过去几十年未曾经历的快速变更,伴随着电动化、智能化、网联化等趋势,未来汽车必将实现高度自动驾驶,汽车电子和软件正在深刻地影响着出行领域。
vivo S18系列手机,不仅拥有高颜值外观,主打“花似锦”配色首次采用浮光雕花创新工艺,人像拍摄功能也是这个系列的重要升级点。
OUC(开放式用户通信)适用于SIMATIC S7-1500/300/400PLC之间的通信、S7-PLC与S5-PLC之间的通信、PLC与个人计算机或第三方设备之间的通信
小马智行Robotaxi与广州南沙结缘已久。2018年,小马智行在广州南沙开启Robotaxi试运营,让当地居民能够切身体验这种充满未来感的出行方式。五年间,广州自动驾驶政策不断推进,车内无安全员的“无人驾驶”车辆也已逐步融入南沙居民的日常生活。
实用的单片机接反电路,再也不怕电源接反了
近日,2022第五期“心寄源”开源法律沙龙以线上视频会议形式成功召开,受到与会嘉宾的大力支持和一致好评。本期沙龙邀请了新思科技(Synopsys)软件质量与安全部门(Software Integrity Group)Black Duck审计团队的总经理Phil Odence先生,围绕“企业的开源合规挑战——以及如何应对(Open Source Challenges for Clients ...and how to manage)”主题进行深度剖析,与会嘉宾交流探讨。 本期沙龙主题及嘉宾 企业的开源合规挑战——以及如何应对 (Open Source Challenges for Clien
肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。
AD7841 | AD22105ARZ | ATTINY261A-SU | ADV3220 |
ATF16V8B-15SU | AD9364 | AD5116 | AD8538 |
ADuM4136 | ATSAMHA1G14A | ADSP-BF706 | ADG1212 |
AT25160B-SSHL-T | AR0543 | ADRF6510 | ADN4670 |
ADS1201 | AD7939 | AD9628 | ADP225 |