AD7764

制造商：ADI/AD

产品信息

电路图、引脚图和封装图

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• HDI多层板制作工艺

  HDI  技术的应用，有效地降低了PCB 板材的厚度、体积，同时也大大增加了立体布线的密度，成品板在某种意义上来说已不再严格地遵循元件面(Component side )和焊接面(Solder side)的区分，而是在板的两面都密密麻麻地装配着元件。但HDI 板因为要求有通孔、埋孔、盲孔、盲过孔(Blind via) 等来实现高密度的内部线路连接，因而其制作工艺相对比较复杂，需多次层压、钻孔、孔金属化和图形电镀等。 埋盲孔多层板体积虽小，但它却是现代高技术的结晶，本文通

  2024-06-01
• 什么是低噪声放大器？它有哪些分类？

  在现代电子通信和信号处理领域，信号的放大是一个至关重要的环节。然而，在放大信号的过程中，往往伴随着噪声的产生，这会影响信号的质量和系统的性能。为了解决这个问题，低噪声放大器（Low Noise Amplifier，简称LNA）应运而生。本文将对低噪声放大器进行详细的介绍，包括其定义、工作原理、分类、特点以及应用领域等方面。

  2024-06-01
• 什么是MOS管？NMOS、PMOS和三极管的区别

  　　MOS管是指场效应晶体管，有G(gate 栅极)/D(drain 漏极)/S(source 源极)三个端口，分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)两种。

  2023-02-03
• 奥托立夫荣膺长城汽车三大殊荣

    2025年3月8日，长城汽车2025年全球合作伙伴年会成功落下帷幕。此次年会以“真心伙伴，合作共赢”为主题，汇聚全球顶尖供应商及合作伙伴，共商未来。本次大会共设有四个重要奖项，旨在表彰在过去一年里表现卓越、贡献突出的合作伙伴。值得一提的是，奥托立夫凭借在技术创新、质量服务与协同发展中的卓越贡献荣膺其中三大殊荣，分别是“真心伙伴奖”、“全球领航奖”和“卓越质量奖”。这些荣誉不仅是一份沉甸甸的客户认可，更是双方多年

  2025-03-09
• 开关二极管和发光二极管的区别

  在电子领域中，二极管是一种基础的半导体器件，广泛应用于各种电路中。其中，开关二极管和发光二极管是两种常见的二极管类型，它们在功能、结构、工作原理以及应用上都存在着显著的区别。本文将详细探讨开关二极管和发光二极管的区别，旨在帮助读者更深入地理解这两种器件。

  2024-06-01
• 碳化硅功率器件的工作原理详解

  随着终端应用电子架构复杂程度提升，硅基器件物理极限无法满足部分高压、高温、高频及低功耗的应用要求。 近 20 多年来，以碳化硅(silicon carbide，SiC)为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的关注。SiC中存在各种多型体(结晶多系)，它们的物性值也各不相同。

  2023-02-03
• AXI握手时序优化—pipeline缓冲器

  skid buffer（pipeline缓冲器）介绍   解决ready/valid两路握手的时序困难，使路径流水线化。   只关心valid时序参考这篇写得很好的博客链接: 握手协议（pvld/prdy或者valid-ready或AXI）中Valid及data打拍技巧 ；只关心ready时序修复可以参考同作者这篇文章链接: （AXI）握手协议（pvld/prdy或者valid-ready）中ready打拍技巧   一个skid buffer是最小的Pipeline FIFO Buffer，只有两个入口。当您需要在发送者和接收者之间为并发和/或定时流水线化路径时，它很有用，但不能

  2025-03-09
• 功率MOSFET的主要特点

  功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种重要的半导体器件，在电子领域尤其是电源管理、电机驱动等领域中扮演着至关重要的角色。与双极型功率器件相比，功率MOSFET凭借其独特的特性，如电压控制、高输入阻抗、快速开关速度等，成为了现代电子设备中不可或缺的元件。本文将对功率MOSFET的特点进行详细的阐述，以期为读者提供全面的了解和认识。

  2024-06-01

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