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制造商：ADI/AD
优势和特点
78 kHz输出数据速率时，动态范围为120 dB
625 kHz输出数据速率时，动态范围为109 dB
78 kHz输出数据速率时，信噪比(SNR)为112 dB
625 kHz输出数据速率时，信噪比(SNR)为106 dB
完全滤波的最大输出速率：625 kHz
可编程过采样速率(32x～256x)
全差分调制器输入
片内差分放大器，用于信号缓冲
低通FIR滤波器，具有默认的或用户可编程系数
超量程提醒位
数字偏置与增益校正寄存器
低功耗和省电模式
产品详情
AD7762是一款高性能、24位Σ-Δ模数转换器（ADC），融合了宽输入带宽、高速特性与Σ-Δ转换技术的优势，625 kSPS时信噪比可达106 dB，因此非常适合高速数据采集应用。宽动态范围以及显著降低的抗混叠要求，使设计过程得以简化。AD7762内置用来驱动基准电压的缓冲、用于信号缓冲和电平转换的差动放大器、超量程标志、内部增益与失调寄存器以及低通数字FIR滤波器，是一款高度集成的紧凑型数据采集器件，只需选择极少的外围元件。此外，该器件提供可编程抽取率，而且如果数字FIR滤波器的默认特征不适合应用要求，还可对其进行调整。AD7762是要求高信噪比（SNR）且无需采用复杂的前端信号处理设计应用的理想器件。
差分输入由模拟调制器以最高40 MS/s的采样速率进行采样。调制器输出由一系列低通滤波器处理，最后一个滤波器具有默认的或用户可编程系数。采样速率、滤波器转折频率和输出字速率由AD7762的外部时钟频率与配置寄存器共同设置。
模拟输入范围取决于AD7762采用的基准电压。当基准电压为4 V时，模拟输入范围为基于2 V共模电压的±3.2 V差分偏置电压。此共模偏置可利用片内差分放大器来实现，从而可进一步降低外部信号调理要求。
AD7762采用64引脚裸露焊盘TQFP和48引脚CSP两种封装，额定温度范围为-40°C至+85°C工业温度范围。
应用
数据采集系统
振动分析
仪器仪表
本文介绍了兴达易控CAN转Profinet网关模块（XD-PN_CAN20）用于连接CAN激光切割机的使用方法，激光切割机在工业生产中被广泛应用，而激光发射器与控制设备常以不同的协议存在两者之间，CAN总线和Profinet以各自的特点被广泛用于设备当中。本文将介绍介绍兴达易控CAN转Profinet网关模块（XD-PN_CAN20）连接 CAN 激光切割机的使用方法。
XV7181BB51.000kHz是爱普生新量产的一款单轴陀螺仪传感器，13位料号是X2A0004011002，常规标准包装（2000PCS/盘）,15位物料编码是：X2A000401100200。XV7181BB相较于XV7011BB和XV7021BB，其工作温度由-20℃to80℃提高到-40℃to85℃，在功耗和噪音等方面均有明显优化。XV7181BB
2024（第十三届）飞机航空电子国际论坛在上海闵行白金汉爵大酒店召开，此次论坛旨在共同推动中国航空电子事业快速发展。
据科创板30日报道，康宁韩国业务总裁Vaughn Hall周三表示，康宁希望利用其特殊的专有技术，扩大其在半导体玻璃基板市场的份额。“我对玻璃基板未来的发展寄予厚望，它似乎比目前芯片封装工艺中广泛使用的有机材料基板更具竞争优势。” 康宁目前供应两种用于芯片生产的玻璃基板产品，一种用于处理器中中介层的临时载体，即承接芯片（die）之间互联所用介质的玻璃基板；另一种用于DRAM芯片中晶圆（wafer）减薄的玻璃基板产品。未来，康宁正准备
气候变化是全球性挑战，发展新能源产业、实现绿色零碳转型是各国的共同愿望。近年来，中国新能源产业快速发展，为全球减排作出积极贡献，在引领全球实现可持续发展目标方面扮演关键角色，包括中国半导体在内的完整产业生态在其中发挥了重要作用。 思瑞浦受邀参加由21 dianyuan主办的第五届国产半导体应用技术大会，业务拓展经理万金海出席并以“思瑞浦高效新能源方案，赋能绿色未来” 为主题发表演讲，代表思瑞浦分享高性能产品赋能芯动
科技巨头苹果公司近期传出新动向，据可靠消息透露，该公司正积极与人工智能领域的先锋OpenAI进行投资洽谈。此次合作的具体金额及细节尚未对外公布，但业界普遍预计，这一举动将进一步巩固OpenAI在AI领域的领先地位，并推动其估值迈上新台阶，有望超过1000亿美元大关。
在全国经济快速发展的浪潮中，基建项目的遍地开花与大项目的相继落地，不仅为人民群众创造了更多财富，也对电网的安全运行提出了更高要求。特别是户外架空输电线路，作为电力传输的“生命线”，其安全稳定直接关系到千家万户的用电安全与城市的正常运转。然而，人为因素与外力破坏导致的线路跳闸、停电事故频发，成为电力部门亟待解决的棘手问题。 面对输电线路跨越地域广、施工现场多、传统巡线方式力不从心的现状，防外破智能预警系
在电子工程领域，场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）作为一种重要的半导体器件，广泛应用于各种电子设备和电路中。其中，功率MOS场效应管（MOSFET）因其独特的性能特点，在电源管理、电机驱动等领域发挥着重要作用。然而，在使用功率MOSFET时，一个不可忽视的问题就是雪崩电流（Avalanche Current）。本文将对场效应管的雪崩电流进行深入的解析，探讨其产生原因、影响因素及防止措施。
| ATA6617C | ADP1873 | AD8350 | AD9628 |
| ADL5606 | ADPD175GGI | AD8041 | ADP3339AKCZ-1.8-R7 |
| ADV7524A | AD7173-8 | ADL5363 | ADR433 |
| ATMEGA32U2-MU | ADC0804LCN | AD9259 | AD7606-6 |
| AD7195 | AD828 | ADE7854A | AD5663R |
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