制造商:ADI/AD
优势和特点
AD7398:12位分辨率AD7399:10位分辨率
可编程关断
3 V至5 V单电源或±5 V双电源供电
三线式SPI®兼容型串行接口
内部上电复位
双缓冲寄存器,可同时更新多通道DAC
4个单独的轨到轨基准电压输入
提供薄型TSSOP-16封装
低温度系数:1.5 ppm/°C
通过汽车应用认证
产品详情
AD7398/AD7399系列分别是四通道、12/10位电压输出数模转换器(DAC),采用3 V至5 V单电源或±5 V 双电源供电。这些单芯片DAC采用ADI公司鲁棒的CBCMOS工艺制造,适合单电源或双电源系统应用,具有成本低、易于使用的特点。满量程输出电压由所施加的外部基准电压(VREF)决定。有效的VREF 值包括 VSSREF DD ,从而可提供广泛的满量程输出选择。对于乘法应用,交流输入可以达到±5 VP。
双缓冲串行数据接口利用串行数据输入(SDI)、时钟(CLK)和芯片选择 (/CS)引脚,提供高速、三线式、SPI和微控制器兼容型输入。利用共用的电平敏感型、加载DAC选通(/LDAC) 输入,可以通过先前加载的输入寄存器同时更新所有DAC。此外,在系统通电时,内部上电复位功能可迫使输出电压处于零电平。外部异步复位 (RS) 也会迫使所有寄存器处于零代码状态。可编程关断特性则可以降低空闲DAC的功耗。
两款器件均采用相同的引脚排列,用户可以根据具体应用选择适当的分辨率,而不必重新设计电路布局。对于8位分辨率应用,请参见引脚兼容产品AD7304。
AD7398/AD7399的额定温度范围为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。提供16引脚宽体SOIC和超紧凑、超薄型1.1 mm TSSOP两种封装。
应用-汽车应用输出电压范围-便携式通信-数字控制校准-PC外设
AD7398 引脚图
AD7398电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
AD7398WBRUZ-RL7 | - | - | 立即购买 |
AD7398BRZ-REEL | - | - | 立即购买 |
AD7398BRZ | - | - | 立即购买 |
AD7398BRUZ-REEL7 | - | - | 立即购买 |
AD7398BRUZ | - | - | 立即购买 |
AD7398BRU-REEL7 | - | - | 立即购买 |
RTT内部有一个全局变量数组rt_object_container数组的数量就是 rt_object_info_type 内核对象的种类
11月29日,全球最大的EDA软件供应商新思科技公布财报,2023会计年度第四季(截至2023年10月31日),营收年增25%至15.99亿美元,优于财测区间15.67亿至15.97亿美元、华尔街此前预期的15.85亿美元。2023 财年的收入为 58.43 亿美元,比 2022 财年的 50.82 亿美元增长约 15%。 旗下负责半导体设计软件、验证平台和IC制造软件销售业务的“设计自动化”(Design Automation)部门,第四季营收跃增11%,从去年同期的8.62亿美元攀升至9.54亿美元,占总营收59.7%,为该公司最大
AESA 系统使用有源阵列,每个阵列拥有数百甚至数千根天线。每一根天线均有其各自的相位和增益控制。天线元件的单个波阵面的干涉或叠加可生成平面波,能有效地产生向特定方向前进的无线电波束。AESA 雷达系统通过转移天线元件的相位,对波束进行电子控制。
12月1日,阿里云通义千问720亿参数模型Qwen-72B宣布开源。与此同时,他们还开源了18亿参数模型Qwen-1.8B和音频大模型Qwen-Audio。
氮化镓芯片的选用要从实际应用出发,结合实际使用场景,选择最合适的氮化镓芯片,以达到最佳的性能和效果。明确应用场景。首先要明确使用的具体场景,如音频、视频、计算还是其他应用场景。不同的场景对氮化镓芯片的性能和特点要求不同,因此在选择氮化镓芯片时,要充分考虑应用的场景。
# 开发者说 # 【开发者说】栏目是为HarmonyOS开发者提供的展示和分享平台,在这里,大家可以发表自己的技术洞察和见解,也可以展示自己的开发心得和成果。 欢迎大家积极投稿,后台回复【投稿】,即可获得投稿渠道。期待你们的分享~ 一 前言 作为一名开发爱好者,从大了讲,我学习并进行HarmonyOS相关开发是为了能为鸿蒙生态建设尽一份绵薄之力,从小了讲,就是为了自己的兴趣。 而万能卡片是一个让我非常感兴趣的东西。 很多时候我跟别人解释什
硅 (Si) 基功率器件由于其技术的成熟性和相对容易的可获性,长期占据着电力电子行业的主导地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大优势能够很好地契合当前的工业趋势,正在获得越来越多的采用。这种宽禁带 (WBG) 半导体器件不仅能够提供比其 Si 同类器件大得多的功率密度,还能提供更好的导热性及更高的功率转换效率。而这些特性对于要求高度节能和快速充电的电池相关应用而言,都是特别重要的。
GaN作为宽禁带III-V族化合物半导体最近被深入研究。为了实现GaN基器件的良好性能,GaN的处理技术至关重要。目前英思特已经尝试了许多GaN蚀刻方法,大部分GaN刻蚀是通过等离子体刻蚀来完成的,等离子体刻蚀的缺点是容易产生离子诱导损伤,难以获得光滑的刻蚀侧壁。为了更好地控制表面粗糙度,英思特采用了一种称为数字蚀刻的技术来进行研究。
ADM1068 | AD5780 | ADSP-2188N | ADM7150 |
AD5317R | AD5405 | AD817 | ADG528F |
ADG726 | A-2004-2-4-LPS-N-R | ADUM1251 | ADF4212L |
AD7314 | AD7711 | ADS7263 | ADP5025 |
ADM2582E | ADXRS652 | AD650 | AD8420 |