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制造商：ON
该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 可用于大部分需要高达400mA直流电流的应用，并且能够提供高达2A的脉冲电流。 这款产品特别适合低压、低电流应用（如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器）以及其他开关应用中。
高密度单元设计可实现极低的 R
。
电压控制的小型信号开关。
坚固而可靠。
高饱和电流能力。
产品分类 | ||
FET配置（电路类型） | N沟道 | |
漏源击穿电压V(BR)dss | 60V | |
漏极电流（Id, 连续） | 115mA（Ta） | |
导通电阻 Rds（on） | 7欧姆 | |
阈值电压Vgs(th) | 2.5V@250µA | |
最大耗散功率 | 225mW | |
封装/外壳 | SOT-23-3(SC-59,TO-236-3) |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N7002 | TK | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：225mW | 立即购买 |
| 2N7002 | MDD | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW | 立即购买 |
| 2N7002 | SK | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：0.43A 功率(Pd)：0.83W | 立即购买 |
| 2N7002 | Hottech | MOSFETs N-Channel Vdss：60V Id：115mA Pd：225mW SOT23 | 立即购买 |
| 2n7002 | JCET | MOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=115mA Pd=225mW SOT23-3 | 立即购买 |
| 2N7002 | NXP | N沟道 60V 0.115A | 立即购买 |
中扮演着开关、放大器等角色。 1. 2N7000系列 型号 ：2N7002、2N7005、2N7007、2N7008 类型 ：N沟道增强型MOSFET 最大电压 ：60V（2N7002）、30V
该UTC 2N7002 已被设计为减小导通阻力，而提供坚固，可靠，快速切换性能。它可以在需要高达大多数应用中使用 400毫安DC，并且可以提供脉冲电流高达2A.该产品特别适用于低电压，低电流应用，例如作为小型伺服电机控制，功率M...
Nordic nRF7002 完美补充 Nordic 蜂窝物联网和多协议无线解决方案，帮助物联网应用开发人员有效利用 Wi-Fi 6 的更高吞吐量和无处不在的家居和工业基础设施。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。它和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。
TPS7A7002 是一款高性能、正电压、低压降 (LDO) 稳压器，针对 要求 在高达 3A 的电流下拥有超低输入电压和超低压降的应用而设计。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D图和
此外，TPS7A7002具有一个使能引脚，用于在关机模式下进一步降低功耗。
| 2308-1HDCG | 2SA2029M3 | 2308-4DCGI | 25LC160 |
| 2N5401 | 2N5550 | 2N5191 | 24AA024H |
| 2308-1HPGG | 2309A-1HPGGI | 2SA2124 | 2N6288 |
| 2309-1HPGGI | 2N5551 | 24VL014 | 2222a |
| 23K640-I/ST | 2SA1419 | 25AA160C | 2N5657 |
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