2N6661 is an enhancement-mode (normally-off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors, and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.
Free from secondary breakdown
Low power drive requirement
Ease of paralleling
Low CISS and fast switching speeds
Excellent thermal stability
Integral source-drain diode
High input impedance and high gain
2N6661 封装图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
2N6661 | SiTime | 有源晶振 310MHz SMD5032_4P | 立即购买 |
电子发烧友网报道(文/周凯扬)3月14日,阿里巴巴旗下的达摩院在深圳举办了2024玄铁RISC-V生态大会,数百家玄铁合作企业和机构,带来了玄铁RISC-V在工业、通信、金融等不同领域的应用创新,更是邀请到中国工程院院士倪光南、Tenstorrent CEO Jim Keller等重磅嘉宾进行演讲。 倪光南院士:RV-DSA服务器将成为中国的新机遇 在开场演讲中,倪光南院士表示,开源已经成为全球信息技术发展的强大推动力,尤其是在新兴的人工智能、大数据和云计算等新一代
Chiplet&互联要闻 1、 英特尔预计在“Clearwater Forest”采用独立IO 英特尔计划推出一款名为“Clearwater Forest”的高核心数服务器CPU,采用18A工艺、PowerVIA以提高性能和能效。 该CPU将采用多种封装技术,如Foveros Direct 3D直接铜键合和EMIB 3.5D技术,以优化SRAM和I/O的封装。 Intel Foveros Direct 3D Intel EMIB 3.5D 值得一提的是,在封装方面,英特尔表示将使用其他工艺节点来封装 SRAM 和 I/O,因为它们在较新的工艺上扩展性不佳。 若18A工艺可以按时交付,与 2024 年第一季度
FPGA开发板是一种基于FPGA(现场可编程门阵列)技术的开发平台,它允许工程师通过编程来定义和配置FPGA芯片上的逻辑电路,以实现各种数字电路和逻辑功能。FPGA开发板通常包括FPGA芯片、时钟模块、电源模块、输入输出接口等组件,并提供相应的编程软件和开发工具,方便工程师进行电路设计和调试。
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FPGA(现场可编程门阵列)和PLC(可编程逻辑控制器)在多个方面存在显著的区别。
2024年中国家电及消费电子博览会(AWE 2024)期间,海思推出了面向音视频行业的鸿鹄媒体解决方案,提供了创新的一揽子解决方案,全面支持国家超高清入户战略,并极大的提升智慧家庭中的影音娱乐、智慧交互等体验。
近年来,塔机安全事故频发,主要原因一是由于塔机管理不到位,违章操作、违章超载、斜拉斜吊现象普遍存在,二是由于对塔机安全隐患不能及时发现,例如,在塔机发生倾斜、关键焊缝出现微裂纹、螺栓松动的情况下没有及时检查维修,致使在塔机继续使用过程中使潜在的缺陷进一步恶化,导致塔机的倾翻。 塔机安全监测系统运用传感器技术、嵌入式技术、数据采集技术、数据处理技术、无线传感网络与远程通信技术,通过前端监控
【 2024 年 3 月 14 日,德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份有限公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)今天通过其子公司英飞凌奥地利科技股份有限公司(Infineon Technologies Austria AG)对英诺赛科(珠海)科技有限公司(Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.)、英诺赛科美国公司(Innoscience America, Inc)及其关联公司(以下简称:英诺赛科)提起诉讼。英飞凌正在就其侵犯英飞凌拥有的一项与氮化镓(GaN)技术有关的美国专利寻求永久禁令。该专利权利要求涉及氮化镓功率半导
2N3906 | 24LC01BH | 2SA1419 | 2SC5245A |
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