制造商:ON
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1V5KE33A | - | - | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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Axial Lead | 27 | 点击下载 | |
1V5KE91CA-D.pdf | 305 | 点击下载 |
...构来显着提高内存密度,性能并简化用户界面。 XM8A51216V33A在功能上等效于异步SRAM,是一种高性能8Mbit CMOS存储器,组织为512K字乘16位和1024K字乘8位,支持异步SRAM存储器接口。星忆存储代理英尚微电子支持提供例程及产品应用解...
XRAM是一种旨在以具有竞争力的价格提供高密度和高性能ram的新型内存体系结构.XRAM使用先进的DRAM技术和自刷新体系结构显着提高了内存密度并简化了用户界面。 XRAM是一种基于先进的DRAM工艺,再结合星忆创新的三态DRAM和免刷新D...
XRAM是一种旨在以具有竞争力的价格提供高密度和高性能ram的新型内存体系结构.XRAM使用先进的DRAM技术和自刷新体系结构显着提高了内存密度并简化了用户界面。 XRAM是一种基于先进的DRAM工艺,再结合星忆创新的三态DRAM和免刷新D...
首先,33V稳压芯片接收来自电源的输入电压。这个输入电压通常是不稳定的,它可能会受到各种因素的影响而波动。输入电压的范围通常大于33V,例如40V到50V。稳压芯片的首要任务是将这个不稳定的电压调节为稳定的33V输出。
传统的转换系统采用电感电流控制系统,它用于检测交流和直流部分输入电流,它们具有并联电阻,导致了不同类型的传导损耗。在SC转换器的情况下,并联电阻器串联电容,并限制在输出电感中产生的波纹,以提供高效率和更...
再回到我们的思考主线上来。既然RT2568需要1.1V以上的输出电压才能工作,我们是否要把1V的输入提升以后再供给它呢?不用,那样一来电路就复杂了,效率也变差了,我们还有别的法宝可供选择,它是RT9174。
1N4752A、SMA4752A、SML4752A、1N5937B、SMA5937B、2EZ33D5、SMB2EZ33D5、3EZ33D5、SMA3EZ33D5、SMB3EZ33D5、1
作为目前三星旗下面向主流中端市场的产品序列,Galaxy A系列近年来凭借着在产品端的大幅提升。继官方此前在印度推出该系列新机Galaxy A33 5G后,三星在韩国也推出了A33 5G智能手机。
1N4744A | 13003 | 1041880210 | 1V5KE91A |
1-1452424-2 | 1473005-1 | 1N5822 | 1N4749A |
1N4004 | 1410140-1 | 1V5KE75A | 1N4007M7 |
1V5KE6V8A | 15326265 | 1339-31DVGI | 1B51 |
1N4001 | 1V5KE30A | 16SVPF1000M | 1B41 |