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    IR1167S SmartRectifier™ 控制 IC

    IR1167S SmartRectifier™ 控制 IC

    SmartRectifier (IR1167S SmartRectifier™ Control IC)不仅功耗仅为 SR MOSFET 的一半,而且减少了 MOSFET 数量

    发布时间:2018-06-14

    International Rectifier 的 IR1167S SmartRectifier 是一款专为驱动 N 沟道功率 MOSFET 而设计的次级侧驱动器 IC,可用作隔离式反激转换器中的同步整流器。 这款 IC 可控制一个或者多个并联 N-MOSFET,能模拟肖特基二极管整流器工作特性。 漏源电压通过差分方式检测,以确定电流极性,并在接近零电流转换点接通或者断开电源开关。 利用先进的消隐技术和双脉冲抑制功能实现了坚固性和抗噪能力,从而保证该器件在连续、不连续和临界电流模式以及恒频、变频模式下均能可靠运行。
    IR1167 SmartRectifier IC 采用 IR 的专有 HVIC 技术,使其能兼容所有 MOSFET 栅极类型,直接连接到 IR 广泛的 30 V 至 200 V SR MOSFET。 与 IRF7853、IRFB4110 和 IRFB4227 等具有优化导通电阻和栅极电荷特征的 IR MOSFET 配套使用时,IR1167 SmartRectifier IC 的优势会得到进一步增强。 这些经过优化的 MOSFET 与 IR1167 配套使用时作为一个“整体芯片组解决方案”,以继续最大限度地提高 SR 电路的能效和功率密度。 SmartRectifier 技术的功耗仅为 SR MOSFET 的一半。

    IR1167S SmartRectifier™ 控制 IC特性

    • 次级侧高速 SR 控制器

    • DCM、CrCM 和 CCM 反激式拓扑结构

    • 200 V 专利 IC 技术

    • 最高 500 kHz 的开关频率

    • 兼容 1 W 待机、能源之星、CECP 等

    • 设计简单

    • 防跳动逻辑和 UVLO 保护

    • 10.7 V / 14.5 V 栅极驱箝位

    • 直接检测 MOSFET 漏极电压

    • 所需元器件最少

    • 无铅

    IR1167S SmartRectifier
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
    IR1167BSTRPBF栅极驱动-电源管理Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC¥21.31720在线订购
    IR1167ASTRPBF栅极驱动-电源管理Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC¥18.20040在线订购
    IR11672ASPBF电源监视-电源管理IC MOSFET DRIVER 200V 8-SOIC在线订购

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