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25 V FastIRFET™ 系列双通道功率 MOSFET
International Rectifier 的创新功率模块器件（25 V FastIRFET™ Family of Dual Power MOSFETs）系列适用于 DC-DC 同步降压应用
发布时间：2018-06-14
International Rectifier 的 IRFH4251D、IRFH4253D、IRFHE4250D 和 IRFHE4255D 组成了适用于一个 DC-DC 同步降压应用的创新电源模块器件系列，具体应用包括电信和网络通讯设备、服务器和图形卡，以及台式电脑、Ultrabook（超极本）和笔记本电脑。
25 V IRFH4251D、IRFH4253D、IRFHE4250D 和 IRFHE4255D 在全新封装中内置了 IR 的最新一代硅器件，并通过这种 5 x 6 mm PQFN 封装确立了功率密度新基准。这款全新电源块器件采用集成式单片 FETKY® 以及运用了最前沿翻模技术的创新封装，能够有效地将同步 MOSFET 源产生的热量直接传递至 PCB 的接地层。由于具有更高的热性能和功率密度，一个全新的 5 x 6 双器件可取代两个 5 x 6 的标准单器件。新的封装还采用了已在 PowIRStage® 和 SupIRBuck® 产品中使用的 IR 专有单铜夹。该封装还采用了优化布局，能显著降低杂散电感，以减小峰值振铃效应。这样，设计师就能选择 25 V MOSFET 替代能效较低的 30 V 器件。
这些器件针对 5 V 栅极驱动应用进行了优化，能和任何控制器或驱动器配合使用以提高灵活性，且相比采用两个分立 30 V 功率 MOSFET 的同类方法，又能在小型封装中实现更高的电流、能效和频率。
25 V FastIRFET™ 系列双通道功率 MOSFET特性
在一个封装中集成了控制和同步 MOSFET，提高了功率密度
低电荷控制 MOSFET（典型值 10 nC），实现了更低的开关损耗
低 RDS(on) 同步 MOSFET（< 1.10 mΩ / IRFH4251DPbF 和 < 1.45 mΩ / IRFH4253DPbF），实现了更低的导通损耗
可扩展平台，允许在同一基底面上使用额定电流不同的器件
在 Q1 上具有低正向电压的本征肖特基二极管，降低了开关损耗
符合 RoHS 规范、无卤素的环保型器件
通过 MSL2 工业鉴定，增加了可靠性
| 图片 | 数据手册 | 产品型号 | 产品分类 | 产品描述 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | | IRFH4253DTRPBF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN | ￥6.10676 | 在线订购 |
 | | IRFH4251DTRPBF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN | 在线订购 | |
 | | IRFH4257DTRPBF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN | 在线订购 | |
| | IRFH4255DTRPBF | MOSFETs-晶体管 | MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN | ￥5.52790 | 在线订购 |
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