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ZXMN2B01FTA 与
ZXM61N02FTA、AO3414 的区别
制造商：DIODES 最优价格：￥1.18304 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.97442 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.26640 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| Vgs(Max) | ±8V | ±12V | ±8V | |
| 连续漏极电流 | 2.4A | 1.7A | 2.5A | |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 阈值电压 | 1V@250µA | 700mV@250µA | 1V@250µA | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | 20V | 20V | |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | |
| 长x宽/尺寸 | 3.04 x 1.40mm | 3.05 x 1.40mm | 2.90 x 1.60mm | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | |
| 高度 | 1.12mm | 1.10mm | 1.25mm | |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | |
| 系列 | - | - | - | |
| 额定功率 | 625mW | 625mW | 1.4W | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
| 零件状态 | Active | Active | Active | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@4.5V,2.4A | 180mΩ@4.5V,930mA | 50mΩ@4.5V,4.2A | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 1.8V，4.5V | 2.7V，4.5V | 1.8V，4.5V | |
| 类型 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | |
| 制造商标准提前期 | 10 周 | 10 周 | 16 周 | |
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 | |
| 功率耗散 | 625mW | 625mW | 1.4W | |
| 栅极源极击穿电压 | ±8V | ±12V | ±8V | |
| 击穿电压 | 20V | 20V | 20V | |
| 品牌 | DIODES | DIODES | AOS | |
| 输入电容 | 370pF@10V | 160pF | 436pF | |
| 最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs | |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | |
| 元件生命周期 | Active | - | Active | |
| 原始制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Alpha and Omega Semiconductor | |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 原产国家 | America | China | America | |
| 栅极电荷(Qg) | - | 3.4nC | - | |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | |
| 充电电量 | - | 3.4nC | 2.9nC | |
| 反向传输电容Crss | - | 30pF | 27pF | |
| 脚间距 | - | 1.9mm | - | |
| 漏极电流 | - | - | 3A | |
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