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ZXMC3A16DN8TA 与
SI4532CDY-T1-GE3、DMC3035LSD-13 的区别
制造商：DIODES 最优价格：￥3.74752 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥1.81552 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥1.01970 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 包装 | Tape/reel | Tape/reel | 带卷（TR） | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 30V | 30V | |
| 配置 | 单路 | 单路 | - | |
| FET功能 | 逻辑电平门 | 标准 | 逻辑电平门 | |
| 封装/外壳 | SO8 | SOIC8_150MIL | SOICN-8_4.9X3.9MM | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | |
| 连续漏极电流 | 4.9A,4.1A | 4.9A,3.4A | 6.9A,5A | |
| 晶体管类型 | N沟道和P沟道互补型 | N沟道和P沟道互补型 | N沟道和P沟道互补型 | |
| 阈值电压 | 1V@250µA（最小） | 3V | 2.1V@250µA | |
| 额定功率 | 1.25W | 2.78W | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@9A,10V | 47mΩ@3.5A,10V | - | |
| 制造商标准提前期 | 12 周 | 19 周 | - | |
| 品牌 | DIODES | Vishay | - | |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35毫欧@9A，10V | 47毫欧@3.5A，10V | 35毫欧@6.9A，10V | |
| 输入电容 | 796pF | 305pF | 384pF | |
| 极性 | N-沟道,P-沟道 | N-沟道,P-沟道 | - | |
| 最小包装 | 2500pcs | 2500pcs | - | |
| 长x宽/尺寸 | 6.10 X 4.95mm | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | |
| 是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | Yes | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | |
| 系列 | - | TrenchFET® | - | |
| 零件状态 | 在售 | Active | 过期 | |
| 功率耗散 | 1.25W | 2.78W | 2W | |
| 类型 | 1个N沟道+1个P沟道 | 1个N沟道+1个P沟道 | - | |
| 高度 | - | 1.75mm | 1.38mm | |
| 引脚数 | - | 8Pin | 8Pin | |
| 元件生命周期 | - | Active | - | |
| 原始制造商 | - | Vishay Intertechnology, Inc. | - | |
| 原产国家 | - | America | - | |
| 充电电量 | - | 9nC,12nC | - | |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | - | |
| 反向传输电容Crss | - | 29pF,51pF | - | |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | 8.6nC | |
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