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    SI2302CDS-T1-GE3SI2302CDS-T1-E3、SI2302CDS-T1-GE3、AO3414 的区别

    SI2302CDS-T1-GE3

    制造商:Vishay

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    SI2302CDS-T1-E3

    制造商:Vishay

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    SI2302CDS-T1-GE3

    制造商:Vishay

    最优价格:¥0.23576

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    AO3414

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.26640

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    ECCN编码
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道N沟道
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    配置单路单路单路单路
    连续漏极电流2.6A2.6A2.6A2.5A
    阈值电压850mV@250µA850mV@250µA850mV@250µA1V@250µA
    栅极电荷(Qg)5.5nC5.5nC5.5nC-
    Vgs(Max)±8V±8V±8V±8V
    FET功能----
    漏源电压(Vdss)20V20V20V20V
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    漏极电流2.6A-2.6A3A
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    原产国家AmericaAmericaAmericaAmerica
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    类型1个N沟道1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    制造商标准提前期19 周19 周19 周16 周
    额定功率710mW710mW710mW1.4W
    元件生命周期ActiveActiveActiveActive
    系列TrenchFET®TrenchFET®TrenchFET®-
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)57mΩ@4.5V,3.6A57mΩ@4.5V,3.6A57mΩ@4.5V,3.6A50mΩ@4.5V,4.2A
    脚间距1.9mm-1.9mm-
    品牌VishayVishayVishayAOS
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    击穿电压20V20V20V20V
    栅极源极击穿电压±8V±8V±8V±8V
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)2.5V,4.5V2.5V,4.5V2.5V,4.5V1.8V,4.5V
    充电电量3.5nC3.5nC3.5nC2.9nC
    功率耗散710mW710mW710mW1.4W
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    长x宽/尺寸2.95 x 1.30mm2.92 x 1.30mm2.95 x 1.30mm2.90 x 1.60mm
    输入电容---436pF
    高度1.00mm1.12mm1.00mm1.25mm
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    原始制造商Vishay Intertechnology, Inc.Vishay Intertechnology, Inc.Vishay Intertechnology, Inc.Alpha and Omega Semiconductor
    是否无铅YesYesYesYes
    反向传输电容Crss---27pF
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