IXTN62N50L 与
NTCG163JF103FTDS、NCU18XH103F6SRB、NTCG163JF103FT1 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 栅极电荷(Qg) | 550nC | - | - | - |
| 阈值电压 | 5V@250µA | - | - | - |
| 安装类型 | 底座安装 | SMT | SMT | SMT |
| 包装 | 管件 | Tape/Reel | Tape/Reel | Tape/Reel |
| 晶体管类型 | N沟道 | - | - | - |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 封装/外壳 | SOT-227-4 | 0603 | 0603 | 0603 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -40℃~+125℃ | -40℃~+150℃ | -40℃~+125℃ |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | - | - | - |
| 连续漏极电流 | 62A | - | - | - |
| 系列 | - | - | - | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100毫欧@500mA,20V | - | - | - |
| 零件状态 | Active | 活跃的 | - | - |
| 输入电容 | 11.5nF | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 38.23 x 25.42mm | 1.60 x 0.80mm | 1.60 x 0.80mm | 1.60 x 0.80mm |
| 高度 | 9.60mm | 0.80mm | 0.80mm | 0.80mm |
| 功率耗散 | 800W | - | - | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | - | - |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | 1(无限) | - | 1(无限) |
| 功率 | - | 100mW | 100mW | 100mW |
| 引线长度 | - | - | - | - |
| 阻值容差 | - | ±1% | ±1% | ±1% |
| 阻值 | - | 10KΩ | 10KΩ | 10KΩ |
| B25/75 | - | 3422K | - | 3422K |
| B25/85 | - | 3435K | 3434K | 3435K |
| 制造商标准提前期 | - | 8 周 | - | 8 周 |
| B25/100 | - | 3453K | 3455K | 3453K |
| 稳态电流 | - | 310μA | 310μA | 310μA |
| 精度 | - | ±1% | ±1% | ±1% |
| 引脚数 | - | 2Pin | 2Pin | 2Pin |
| 品牌 | - | TDK | MuRata | TDK |
| B值误差 | - | ±1% | ±1% | ±1% |
| B25/50 | - | 3380K | 3380K | 3380K |
| 等级 | - | - | Industrial | - |
| 应用 | - | - | Industrial,Personal Electronics | Mobile Phone |
| 最小包装 | - | - | 4000pcs | 4000pcs |
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