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    BAW56LT1GBAW56-7-F、BAW56Q-7-F 的区别

    BAW56LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.05141

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    BAW56-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.10025

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    BAW56Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.15266

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    ECCN编码
    反向漏电流IR30µA2.5µA2.5µA
    反向耐压VR70V75V75V
    平均整流电流200mA300mA300mA
    安装类型SMTSMTSMT
    正向压降VF1.25V1.25V1.25V@150mA
    包装Tape/ReelTape/ReelTape/Reel
    工作温度-55℃~+150℃-65℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    二极管配置共阳极1对共阳极1对共阳极
    功率耗散(最大值)225mW350mW350mW
    反向恢复时间(trr)6ns4ns4ns
    封装/外壳SOT-23SOT-23TO-236-3
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    高度0.94mm1.05mm1.10mm
    引脚数3Pin3Pin3Pin
    系列BAW56L, SBAW56L--
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs
    总电容C2pF2pF2pF
    零件状态ActiveActiveActive
    应用汽车汽车-
    原始制造商ON Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
    原产国家AmericaAmericaAmerica
    脚间距1.9mm1.92mm-
    品牌ONDIODESDIODES
    正向压降VF Max1V1V1.25V
    正向电流200mA--
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)4A2A2A
    存储温度-55℃~+150℃-65~+150℃-55℃~+150℃
    反向峰值电压(最大值)-75V75V
    工作温度-结--65°C~150°C-
    速度-快速恢复=<500ns,>200mA(Io)-
    二极管类型-标准-
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-
    反向击穿电压-75V75V
    是否无铅-YesYes
    认证信息-AEC-Q101, RoHSRoHS
    正向压降VF Min--715mV
    元件生命周期--Active
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