LM293DR2G 与
LM293DR 的区别
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ECCN编码 | ||||
封装/外壳 | SOIC8_150MIL | SOIC8_150MIL | ||
安装类型 | SMT | SMT | ||
电源电压,单/双(±) | 2V~36V,±1V~18V | 2V~30V,±1V~15V | ||
输入失调电压(Vos) | 5mV | 5mV | ||
包装 | Tape/Reel | Tape/Reel | ||
输出类型 | CMOS,DTL,ECL,MOS,Open-Collector,TTL | CMOS,MOS,Open-Drain,TTL | ||
输入偏置电流 | 250nA | 250nA | ||
输出电流 | 16mA | 20mA | ||
静态电流(Max) | 2.5mA | 2.5mA | ||
工作温度 | -25℃~+85℃ | -25℃~+85℃ | ||
响应时间 | 1.5μs | 1.3µs | ||
元件生命周期 | Active | Active | ||
存储温度 | -65~+150℃ | -65~+150℃ | ||
最小包装 | 2500pcs | 2500pcs | ||
放大器类型 | 通用 | 差分 | ||
原产国家 | America | America | ||
认证信息 | RoHS | RoHS | ||
电源电压 | 1V~18V;2V~36V | 1V~18V;2V~36V | ||
品牌 | ON | TI | ||
供电电流 | 2.5mA | 2.5mA | ||
Ib - 输入偏流 | 250nA | 250nA | ||
原始制造商 | ON Semiconductor Inc. | Texas Instruments Incorporated | ||
通道数 | 2 | - | ||
引脚数 | 8Pin | 8Pin | ||
高度 | 1.75mm | 1.75mm | ||
传播延迟时间 | - | - | ||
长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | 4.90 x 3.90mm | ||
脚间距 | - | 1.27mm | ||
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