购物车
上传BOM
CRCW12060000Z0EAHP 与
STD25NF20、SUD19N20-90-E3、FQD18N20V2TM 的区别
制造商：Vishay 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ST 最优价格：￥6.67440 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥5.34600 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥5.56316 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | 1206 | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) |
| 精度 | - | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 3.20 x 1.60mm | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） |
| 功率 | 750mW | - | - | - |
| 特性 | - | - | - | - |
| 温度系数 | - | - | - | - |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+150℃ |
| 脚间距 | 2.75mm | - | - | - |
| 高度 | 0.55mm | - | - | - |
| 引脚数 | 2Pin | - | - | - |
| 电阻类型 | 厚膜电阻 | - | - | - |
| 阻值 | 0Ω | - | - | - |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | - | ±20V | ±20V | ±30V |
| 漏源电压(Vdss) | - | 200V | 200V | 200V |
| 连续漏极电流 | - | 18A | 19A | 15A |
| 阈值电压 | - | 4V@250µA | 4V@250µA | 5V@250µA |
| 制造商标准提前期 | - | 26 周 | 19 周 | 6 周 |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 类型 | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 125mΩ@10V,10A | 90mΩ@10V,5A | 140mΩ@7.5A,10V |
| 额定功率 | - | 110W | 3W,136W | 2.5W,83W |
| 系列 | - | STripFET™ | TrenchFET® | QFET® |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
| 输入电容 | - | 940pF@25V | 1.8nF@25V | 1.08nF@25V |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 10V | 6V，10V | 10V |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 功率耗散 | - | 110W | 3W,136W | 2.5W,83W |
| 加入购物车 | 询价 | 加入购物车 | 加入购物车 | 加入购物车 |
同类型型号推荐
加入购物车成功！
工商网监