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    2N7002_R1_00001LM339DR、LM339MX/NOPB、LM239DT 的区别

    2N7002_R1_00001

    制造商:PANJIT

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    LM339DR

    制造商:TI

    最优价格:¥0.41281

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    LM339MX/NOPB

    制造商:TI

    最优价格:¥3.66120

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    LM239DT

    制造商:ST

    最优价格:¥0.38807

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    ECCN编码
    封装/外壳SOT-23SOIC-14SOIC14_150MILSOIC14_150MIL
    漏源电压(Vdss)60V---
    阈值电压2.5V---
    栅极电荷(Qg)0.7nC---
    连续漏极电流250mA---
    晶体管类型N沟道---
    包装Tape/reelTape/ReelTape/ReelTape/Reel
    工作温度-55℃~+150℃0℃~+70℃0℃~+70℃-40℃~+105℃
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    配置单路---
    零件状态Active---
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5Ω@10V,500mA---
    元件生命周期ActiveActive-Active
    存储温度-55℃~+150℃-65~+150℃--65~+150℃
    引脚数3Pin14Pin14Pin14Pin
    原产国家China TaiwanAmerica-Switzerland
    类型1个N沟道---
    品牌PANJITTITIST
    额定功率350mW---
    原始制造商PANJIT International Inc.Texas Instruments IncorporatedTexas Instruments IncorporatedSTMicroelectronics
    输入电容50pF---
    最小包装3000pcs2500pcs2500pcs2500pcs
    高度1.10mm1.75mm1.75mm1.75mm
    功率耗散350mW---
    长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm8.65 x 3.90mm8.75 x 4.00mm8.65 x 3.90mm
    栅极源极击穿电压±20V---
    是否无铅No---
    极性N-沟道---
    充电电量0.7nC---
    静态电流(Max)-2.5mA2.5mA2mA
    输入失调电压(Vos)-5mV5mV5mV
    电源电压,单/双(±)-2V~30V,±1V~15V2V~36V,±1V~18V2V~36V,±1V~18V
    输出类型-CMOS,MOS,Open-Collector,TTLCMOS,DTL,ECL,MOS,Open-Collector,TTLCMOS,DTL,ECL,MOS,Open-Collector,TTL
    输入偏置电流-25nA250nA25nA
    输出电流-20mA16mA16mA
    供电电流-2.5mA-2mA
    电源电压-2V~30V;1V~15V1V~18V;2V~36V2V~32V;1V~16V
    响应时间-1.3µs--
    认证信息-RoHS--
    放大器类型-差分通用通用
    传播延迟时间----
    通道数--四路四路
    脚间距--1.27mm-
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