制造商:PANJIT 最优价格:¥0.35128 查看详情 查看数据资料 | 制造商:ST 最优价格:¥1.60251 查看详情 查看数据资料 | 制造商:ST 最优价格:¥1.90861 查看详情 查看数据资料 | 制造商:TI 最优价格:¥0.29700 查看详情 查看数据资料 | |
ECCN编码 | ||||
配置 | 单路 | - | - | - |
封装/外壳 | SOT-23 | SOIC-14_8.65X3.9MM | SO-14_8.65X3.9MM | SOIC14_150MIL |
漏源电压(Vdss) | 60V | - | - | - |
阈值电压 | 2.5V | - | - | - |
栅极电荷(Qg) | 0.7nC | - | - | - |
连续漏极电流 | 250mA | - | - | - |
晶体管类型 | N沟道 | - | - | - |
工作温度 | -55℃~+150℃ | -40℃~+105℃ | 0℃~+70℃ | 0℃~+70℃ |
包装 | Tape/reel | Tube packing | Tube packing | Tape/Reel |
安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
零件状态 | Active | - | - | - |
元件生命周期 | Active | - | - | Active |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5Ω@10V,500mA | - | - | - |
存储温度 | -55℃~+150℃ | - | - | -65~+150℃ |
引脚数 | 3Pin | 14Pin | 14Pin | 14Pin |
原产国家 | China Taiwan | - | - | America |
类型 | 1个N沟道 | - | - | - |
品牌 | PANJIT | ST | ST | TI |
额定功率 | 350mW | - | - | - |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5Ω | - | - | - |
输入电容 | 50pF | - | - | - |
原始制造商 | PANJIT International Inc. | STMicroelectronics | STMicroelectronics | Texas Instruments Incorporated |
最小包装 | 3000pcs | - | - | 2500pcs |
功率耗散 | 350mW | - | - | - |
高度 | 1.10mm | 1.50mm | 1.38mm | 1.75mm |
长x宽/尺寸 | 3.04 x 1.40mm | 8.65 x 3.90mm | 8.65 x 3.90mm | 8.65 x 3.90mm |
是否无铅 | No | - | - | - |
栅极源极击穿电压 | ±20V | - | - | - |
充电电量 | 0.7nC | - | - | - |
极性 | N-沟道 | - | - | - |
输出电流 | - | 16mA | 16mA | 20mA |
电源电压,单/双(±) | - | 2V~32V,±1V~16V | 2V~32V,±1V~16V | 2V~30V,±1V~15V |
输出类型 | - | CMOS,DTL,ECL,MOS,Open-Collector,TTL | CMOS,DTL,ECL,MOS,Open-Collector,TTL | CMOS,MOS,Open-Collector,TTL |
输入失调电压(Vos) | - | 5mV | 5mV | 5mV |
静态电流(Max) | - | 2mA | 2.5mA | 2.5mA |
输入偏置电流 | - | 250nA | 250nA | 25nA |
电源电压 | - | 2V~32V;1V~16V | 2V~32V;1V~16V | 2V~30V;1V~15V |
Ib - 输入偏流 | - | 250nA | 250nA | 250nA |
放大器类型 | - | 通用 | 通用 | 差分 |
传播延迟时间 | - | - | - | - |
供电电流 | - | - | - | 2.5mA |
响应时间 | - | - | - | 1.3µs |
认证信息 | - | - | - | RoHS |
通道数 | - | - | - | - |
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