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1N4148TR 与
VB7322、ZXMN3A03E6TA、NTGS4141NT1G 的区别
制造商：ON 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：VBsemi 最优价格：￥0.77970 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥8.84450 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ON 最优价格：￥ 查看详情 | |
| ECCN编码 | ||||
| 功率耗散（最大值） | 500mW | - | - | - |
| 包装 | Tape/Reel | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 反向峰值电压（最大值） | 100V | - | - | - |
| 二极管配置 | 单路 | - | - | - |
| 安装类型 | 插件 | SMT | SMT | SMT |
| 平均整流电流 | 200mA | - | - | - |
| 反向耐压VR | 75V | - | - | - |
| 反向恢复时间(trr) | 4ns | - | - | - |
| 反向漏电流IR | 5μA | - | - | - |
| 封装/外壳 | DO-35(DO-204AH) | TSOP-6 | SOT26 | TSOP-6 |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 | - | - | - |
| 正向压降VF | 1V | - | - | - |
| 二极管类型 | 标准 | - | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | 1（无限） | 1（无限） |
| 工作温度-结 | -65°C~175°C | - | - | - |
| 正向压降VF Max | 1V | - | - | - |
| 高度 | 1.91mm | 1.10mm | 1.15mm | 1.00mm |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 最小包装 | 10000pcs | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 长x宽/尺寸 | Φ1.91 x 4.56mm | 3.05 x 1.65mm | 3.00 x 1.60mm | 3.00 x 1.50mm |
| 是否无铅 | Yes | Yes | No | Yes |
| 品牌 | Onsemi | VBsemi | DIODES | ON |
| 系列 | 1N91x, 1N4x48, FDLL914, FDLL4x48 | - | - | - |
| 总电容C | 4pF | - | - | - |
| 应用 | 通用 | - | - | - |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 1A | - | - | - |
| 元件生命周期 | Active | Active | Active | - |
| 存储温度 | -65~+200℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 引脚数 | 2Pin | 6Pin | 6Pin | 6Pin |
| 原产国家 | America | China Taiwan | America | America |
| 原始制造商 | ON Semiconductor Inc. | VBsemi Electronics Co. Ltd | Diodes Incorporated | ON Semiconductor |
| 正向电流 | 300mA | - | - | - |
| 制造商标准提前期 | 6 周 | - | 10 周 | 30 周 |
| Vgs(Max) | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V | 30V | 30V |
| 漏极电流 | - | 6A | - | 3.5A |
| 阈值电压 | - | 1.5V@250µA | 1V | 3V@250µA |
| 栅极电荷(Qg) | - | 13nC | - | - |
| 连续漏极电流 | - | 5.5A | 4.6A | 7A |
| 配置 | - | 单路 | - | 单路 |
| 充电电量 | - | 4.2nC | 12.6nC | 6nC |
| 功率耗散 | - | 1.3W | 1.1W | 500mW |
| 输入电容 | - | 424pF | 600pF | 560pF@24V |
| 反向传输电容Crss | - | 42pF | - | 15pF |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 27mΩ | 50mΩ@10V,7.8A | 25mΩ@7A,10V |
| 击穿电压 | - | 30V | 30V | 30V |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 额定功率 | - | - | 1.1W | 500mW |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | - | 4.5V，10V | 4.5V，10V |
| 类型 | - | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 |
| 技术路线 | - | - | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| 印字代码 | - | - | - | S4 M= = |
| 认证信息 | - | - | - | RoHS |
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