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1N4148TR 与
AO6408、VB7322、ZXMN3A03E6TA 的区别
制造商：ON 最优价格：￥0.06290 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥ 查看详情 | 制造商：VBsemi 最优价格：￥0.77970 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥8.84450 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 安装类型 | 插件 | SMT | SMT | SMT |
| 平均整流电流 | 200mA | - | - | - |
| 反向耐压VR | 75V | - | - | - |
| 反向恢复时间(trr) | 4ns | - | - | - |
| 反向漏电流IR | 5μA | - | - | - |
| 封装/外壳 | DO-35(DO-204AH) | SC74,SOT457 | TSOP-6 | SOT26 |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 | - | - | - |
| 正向压降VF | 1V | - | - | - |
| 二极管类型 | 标准 | - | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | - | 1（无限） |
| 工作温度-结 | -65°C~175°C | - | - | - |
| 功率耗散（最大值） | 500mW | - | - | - |
| 包装 | Tape/Reel | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel | Tape/reel |
| 反向峰值电压（最大值） | 100V | - | - | - |
| 二极管配置 | 单路 | - | - | - |
| 高度 | 1.91mm | - | 1.10mm | 1.15mm |
| 零件状态 | Active | 过期 | Active | Active |
| 最小包装 | 10000pcs | - | 3000pcs | 3000pcs |
| 长x宽/尺寸 | Φ1.91 x 4.56mm | - | 3.05 x 1.65mm | 3.00 x 1.60mm |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | No |
| 品牌 | Onsemi | - | VBsemi | DIODES |
| 系列 | 1N91x, 1N4x48, FDLL914, FDLL4x48 | - | - | - |
| 总电容C | 4pF | - | - | - |
| 应用 | 通用 | - | - | - |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 1A | - | - | - |
| 元件生命周期 | Active | - | Active | Active |
| 存储温度 | -65~+200℃ | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 引脚数 | 2Pin | - | 6Pin | 6Pin |
| 原产国家 | America | - | China Taiwan | America |
| 原始制造商 | ON Semiconductor Inc. | - | VBsemi Electronics Co. Ltd | Diodes Incorporated |
| 正向电流 | 300mA | - | - | - |
| 制造商标准提前期 | 6 周 | - | - | 10 周 |
| 正向压降VF Max | 1V | - | - | - |
| 阈值电压 | - | 1V@250µA | 1.5V@250µA | 1V |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 漏源电压(Vdss) | - | 20V | 30V | 30V |
| 连续漏极电流 | - | 8.8A | 5.5A | 4.6A |
| 输入电容 | - | 2.2nF@10V | 424pF | 600pF |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 18毫欧@8.8A，10V | 27mΩ | 50mΩ@10V,7.8A |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| 功率耗散 | - | 2W | 1.3W | 1.1W |
| Vgs(Max) | - | - | ±20V | ±20V |
| 漏极电流 | - | - | 6A | - |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | 13nC | - |
| 配置 | - | - | 单路 | - |
| 充电电量 | - | - | 4.2nC | 12.6nC |
| 反向传输电容Crss | - | - | 42pF | - |
| 击穿电压 | - | - | 30V | 30V |
| 栅极源极击穿电压 | - | - | ±20V | ±20V |
| 极性 | - | - | N-沟道 | N-沟道 |
| 额定功率 | - | - | - | 1.1W |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | - | - | 4.5V，10V |
| 类型 | - | - | - | 1个N沟道 |
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