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    S2M-LTPBC857CLT1G、BC857C_R1_00001、BC857C-TP 的区别

    S2M-LTP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.35502

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    BC857CLT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.09200

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    BC857C_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.07800

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    BC857C-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.08424

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    ECCN编码
    速度快速恢复=<500ns,>200mA(Io)---
    正向压降VF1.15V---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)-1(无限)
    工作温度-结-55°C~150°C---
    平均整流电流2A---
    封装/外壳SMB(DO-214AA)SOT-23SOT-23SOT346
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    反向耐压VR1KV---
    反向漏电流IR5μA@1KV---
    包装剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reel-剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    二极管类型标准---
    高度2.20mm1.00mm1.10mm-
    制造商标准提前期8 周8 周-8 周
    引脚数2Pin3Pin3Pin-
    长x宽/尺寸4.41 x 3.62mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm-
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    是否无铅YesYesYesYes
    晶体管类型-PNPPNPPNP
    工作温度--55℃~+150℃-50℃~+150℃-55℃~+150℃
    DC电流增益(hFE)-420~800420~800420
    跃迁频率-100MHz-200MHz
    Vce饱和压降-650mV-650mV
    配置-单路--
    集射极击穿电压Vce(Max)-45V45V45V
    特征频率(fT)-100MHz200MHz200MHz
    品牌-ONPANJIT-
    额定功率-300mW330mW310mW
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO-45V--
    原产国家-AmericaChina Taiwan-
    印字代码-3G--
    原始制造商-ON Semiconductor--
    最小包装-3000pcs--
    存储温度--55℃~+150℃-50℃~+150℃-
    功率耗散-300mW330mW310mW
    集电极截止电流 (Icbo)-15nA(ICBO)-15nA
    发射极与基极之间电压 VEBO-5V--
    系列--BC857-
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-45V45V250mV@100mA,5mA
    集电极-基极电压(VCBO)-50V--
    集电极电流 Ic-100mA100mA100mA
    极性-PNP--
    元件生命周期--Active-
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