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    S2M-LTPBC857CLT3G、BC857CLT1G、BC857C_R1_00001 的区别

    S2M-LTP

    制造商:MCC

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    BC857CLT3G

    制造商:ON

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    BC857CLT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.09200

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    BC857C_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.07800

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    ECCN编码
    平均整流电流2A---
    封装/外壳SMB(DO-214AA)SOT23-3SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    反向耐压VR1KV---
    反向漏电流IR5μA@1KV---
    包装剪切带(CT) ,带卷(TR) -Tape/reel-
    二极管类型标准---
    速度快速恢复=<500ns,>200mA(Io)---
    正向压降VF1.15V---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)-1(无限)-
    工作温度-结-55°C~150°C---
    是否无铅Yes-YesYes
    制造商标准提前期8 周-8 周-
    高度2.20mm-1.00mm1.10mm
    引脚数2Pin-3Pin3Pin
    长x宽/尺寸4.41 x 3.62mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm
    零件状态Active-ActiveActive
    DC电流增益(hFE)--420~800420~800
    跃迁频率--100MHz-
    Vce饱和压降--650mV-
    配置--单路-
    集射极击穿电压Vce(Max)--45V45V
    晶体管类型--PNPPNP
    工作温度---55℃~+150℃-50℃~+150℃
    存储温度---55℃~+150℃-50℃~+150℃
    功率耗散--300mW330mW
    集电极截止电流 (Icbo)--15nA(ICBO)-
    发射极与基极之间电压 VEBO--5V-
    系列---BC857
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))--45V45V
    集电极-基极电压(VCBO)--50V-
    集电极电流 Ic--100mA100mA
    极性--PNP-
    品牌--ONPANJIT
    特征频率(fT)--100MHz200MHz
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO--45V-
    额定功率--300mW330mW
    原产国家--AmericaChina Taiwan
    印字代码--3G-
    原始制造商--ON Semiconductor-
    最小包装--3000pcs-
    元件生命周期---Active
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